ISSI推出首颗128M中低密度DDR DRAM
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:525
integrated silicon solution公司(issi)日前宣布推出其首颗128mb的ddr dram芯片is43r32400a。该芯片工作电压为2.5v，采用4m×32构成机制，刷新率为8k，传输速率为1.6gbps。其应用包括各种需求量大的领域，如网络和通信设备、hdtv、lcd tv、机顶盒、硬盘驱动、汽车和其它消费电子应用等。
is43r32400a采用144引脚fbga封装，工作温度为0℃～70℃，购买一万片以上单价是每片4.5美元。现在可以提供样品。
is43r32400a采用144引脚fbga封装，工作温度为0℃～70℃，购买一万片以上单价是每片4.5美元。现在可以提供样品。
integrated silicon solution公司(issi)日前宣布推出其首颗128mb的ddr dram芯片is43r32400a。该芯片工作电压为2.5v，采用4m×32构成机制，刷新率为8k，传输速率为1.6gbps。其应用包括各种需求量大的领域，如网络和通信设备、hdtv、lcd tv、机顶盒、硬盘驱动、汽车和其它消费电子应用等。
is43r32400a采用144引脚fbga封装，工作温度为0℃～70℃，购买一万片以上单价是每片4.5美元。现在可以提供样品。
is43r32400a采用144引脚fbga封装，工作温度为0℃～70℃，购买一万片以上单价是每片4.5美元。现在可以提供样品。
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