艾蒙(M-Systems)推出512MB至1GB存储器件
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:411
m-systems的diskonchip h系列产品,提供1gb至512mb的容量。该产品的多级信元(mlc) nand闪存芯片利用了m-systems先进的x2技术,因此能提供成本较低的高容量产品,以满足新一代嵌入式应用在性能与可靠性的要求。不同于硬盘与小型磁盘等传统存储解决方案,固态diskonchip h1提供了电子移动设备必需的牢固性,抗震抗撞击。
diskonchip h1与其它diskonchip产品相同,也兼容旧型nor接口,因此能与各种芯片组配合使用。该器件采用90nm mlc nand技术,容量高达512mb(4gb)与1gb(8gb),串联容量达2gb(16gb);接口兼容nor/sram;内置xip(execute in place)开机模块。这款存储器件每秒连续写入速率为2.2mb,每秒连续读取速率5mb(含附加软件承担量),并且具保护硬件与安全功能。此外,它还内置了侦错码/错误修正码(edc/ecc),专为mlc nand快闪技术设计;支持trueffs软件;兼容各种主要的cpu和处理器类型。diskonchip h1采用115球fbga 12×18mm封装。
m-systems的diskonchip h系列产品,提供1gb至512mb的容量。该产品的多级信元(mlc) nand闪存芯片利用了m-systems先进的x2技术,因此能提供成本较低的高容量产品,以满足新一代嵌入式应用在性能与可靠性的要求。不同于硬盘与小型磁盘等传统存储解决方案,固态diskonchip h1提供了电子移动设备必需的牢固性,抗震抗撞击。
diskonchip h1与其它diskonchip产品相同,也兼容旧型nor接口,因此能与各种芯片组配合使用。该器件采用90nm mlc nand技术,容量高达512mb(4gb)与1gb(8gb),串联容量达2gb(16gb);接口兼容nor/sram;内置xip(execute in place)开机模块。这款存储器件每秒连续写入速率为2.2mb,每秒连续读取速率5mb(含附加软件承担量),并且具保护硬件与安全功能。此外,它还内置了侦错码/错误修正码(edc/ecc),专为mlc nand快闪技术设计;支持trueffs软件;兼容各种主要的cpu和处理器类型。diskonchip h1采用115球fbga 12×18mm封装。