非易失性铁电存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列，推出4位状态保存器，以4位 f-ram技术为基础，无需耗电即可保存逻辑状态，并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内，这是因为f-ram存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性，以及极高的耐用性。

fm111x 4位状态保存器目前有三款产品：即工作电压为5v的fm1110；以及工作电压为3v的fm1112 和fm1114。fm111x系列的操作类似传统的逻辑构件，使用起来就像双锁存或d型触发器一样简单，但在断电时可自动存储和保持逻辑状态，从而简化系统控制功能在各种应用中的设计，包括开关接口、转换寄存器、继电器驱动器、led驱动器、错误标记记录、掉电状态检测、防拆指示器、开门指示器、电机开/关控制、替换拨码开关、替换跳线器及其它非易失性逻辑电路。fm1114的独特之处在于具有低于.5μa的超低待机电流，因而适用于便携式、电池供电及低功耗应用，如八进制锁存和非易失性计数器等。

ramtron技术市务总监craig taylor称：“fm111x是2位状态保存器的自然扩展，专为应用需要更多数据的客户而开发。4位状态保存器是不断演变的真正创新产品系列中的第二个产品线，f-ram技术具备高速写入、低功耗和几乎无限的耐用性，因而使到这一功能能够实现。”

这种低功耗非易失性状态保存器是一个逻辑构件，无需读取存储器就可以对非易失性系统设置进行连续存取。它能够存储变化频繁而毋须预先通知的信号，还可以在无需增加串行存储器系统开销的情况下，对系统设置进行非易失性存储。

产品特性

fm1110的工作电压范围为4.5 至5.5v；fm1112则为2.7至3.6 v，具有低于10 μa的低待机电流；fm1114的工作电压范围也是2.7至3.6 v，但具有低于.5μa的超低待机电流。所有器件均以1 khz的频率连续改变状态，并提供无限次的状态改变，可在整个工业温度范围 (-40℃至85℃) 内工作，且采用16脚 “绿色” qfn封装。要了解有关产品的详细信息，请访问网址：www.ramtron.com/statesaver。

供货

fm111x的工程样品现已提供，器件采用符合rohs要求的16脚qfn封装。