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TI携手Ramtron合作将FRAM技术提升至130nm工艺

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:678

  德州仪器公司和ramtron international corporation 宣布:在 fram 技术发展中的创新里程碑,针对 fram 存储器达成了商用制造协议。该协议许可 ramtron 的 fram 存储器产品在 ti 先进的 130 纳米 (nm) fram 制造工艺中生产包括 ramtron 的 4mb fram 存储器 (详情另见新闻稿)。ramtron 和德州仪器自 2001年 8 月开始合作,当时双方签订定了 fram 的许可授权和开发协议。

  ramtron 首席执行长 bill staunton 称:“这项制造协议标志着高密度 fram产品的商业化发展向前迈进了一大步。ramtron 将从德州仪器公认及先进的130nm 工艺技术和先进的制造能力,和高密度的独立 fram 存储器中获益。除了 4mb 器件外,在 2007 年内,我们还计划使用德州仪器的产品线中提供至少一种以上的产品样品。”

  德州仪器的先进 fram 工艺

  为了创建嵌入式 fram 模块,德州仪器在其标准的 130nm 铜互连工艺中添加了仅仅两个额外的掩模步骤。通过转向 130

nm 工艺,两家公司将使用目前最小的商用 fram 单元 (仅 0.71um2),提供 ramtron 的 4mb fram 存储器,并且获得较 sram 单元更高的存储密度。为了实现这种单元尺寸,该工艺使用了创新的 cop (capacitor-over-plug) 工艺,将非易失性电容直接堆放在 w 型插入晶体管触点之上。

  fram 存储器将易失性 dram 的快速存取和低功耗特点与不需要电能保存数据的能力结合起来。eeprom 和闪存等其它非易失性存储器由于必需以多个掩模步骤、更长的写入时间及更多的功耗来写入数据,因此对于嵌入式应用不太合适。此外,fram 的小单元尺寸和增加最少的掩模步骤特点,使到面向嵌入式应用的 fram 可以低于 sram 的成本生产。fram 所消耗的功率亦较 mram 低很多,并且已在要求严格的汽车、测量、工业及计算等应用中实现商业化应用。

  moise 博士续称:“fram 具有快速存取、低功耗、小单元尺寸,以及实惠的制造成本等特点,这意味着它适于广泛的应用。对于那些需要低功耗、非易失性存储、关机前快速数据保护,以及无限写入耐久性等的系统而言,将可从 fram 的功能中获益良多。”

  fram 的工作原理

  fram 技术的核心是将微小的铁电晶体集成进电容内,使到 fram 产品能够象快速的非易失性 ram 那样工作。通过施加电场,铁电晶体的电极化在两个稳定状态之间变换。内部电路将这种电极化的方向感知为高或低的逻辑状态。每个方向都是稳定的,即使在电场撤除后仍然保持不变,因此能将数据保存在存储器中而无需定期更新。

  德州仪器利用 cop 方式制作了平面型 fram 单元,将单元的面积降至最小,并且利用铱电极和锆钛酸铅 (pzt) 铁电薄膜层来形成铁电电容。



  德州仪器公司和ramtron international corporation 宣布:在 fram 技术发展中的创新里程碑,针对 fram 存储器达成了商用制造协议。该协议许可 ramtron 的 fram 存储器产品在 ti 先进的 130 纳米 (nm) fram 制造工艺中生产包括 ramtron 的 4mb fram 存储器 (详情另见新闻稿)。ramtron 和德州仪器自 2001年 8 月开始合作,当时双方签订定了 fram 的许可授权和开发协议。

  ramtron 首席执行长 bill staunton 称:“这项制造协议标志着高密度 fram产品的商业化发展向前迈进了一大步。ramtron 将从德州仪器公认及先进的130nm 工艺技术和先进的制造能力,和高密度的独立 fram 存储器中获益。除了 4mb 器件外,在 2007 年内,我们还计划使用德州仪器的产品线中提供至少一种以上的产品样品。”

  德州仪器的先进 fram 工艺

  为了创建嵌入式 fram 模块,德州仪器在其标准的 130nm 铜互连工艺中添加了仅仅两个额外的掩模步骤。通过转向 130

nm 工艺,两家公司将使用目前最小的商用 fram 单元 (仅 0.71um2),提供 ramtron 的 4mb fram 存储器,并且获得较 sram 单元更高的存储密度。为了实现这种单元尺寸,该工艺使用了创新的 cop (capacitor-over-plug) 工艺,将非易失性电容直接堆放在 w 型插入晶体管触点之上。

  fram 存储器将易失性 dram 的快速存取和低功耗特点与不需要电能保存数据的能力结合起来。eeprom 和闪存等其它非易失性存储器由于必需以多个掩模步骤、更长的写入时间及更多的功耗来写入数据,因此对于嵌入式应用不太合适。此外,fram 的小单元尺寸和增加最少的掩模步骤特点,使到面向嵌入式应用的 fram 可以低于 sram 的成本生产。fram 所消耗的功率亦较 mram 低很多,并且已在要求严格的汽车、测量、工业及计算等应用中实现商业化应用。

  moise 博士续称:“fram 具有快速存取、低功耗、小单元尺寸,以及实惠的制造成本等特点,这意味着它适于广泛的应用。对于那些需要低功耗、非易失性存储、关机前快速数据保护,以及无限写入耐久性等的系统而言,将可从 fram 的功能中获益良多。”

  fram 的工作原理

  fram 技术的核心是将微小的铁电晶体集成进电容内,使到 fram 产品能够象快速的非易失性 ram 那样工作。通过施加电场,铁电晶体的电极化在两个稳定状态之间变换。内部电路将这种电极化的方向感知为高或低的逻辑状态。每个方向都是稳定的,即使在电场撤除后仍然保持不变,因此能将数据保存在存储器中而无需定期更新。

  德州仪器利用 cop 方式制作了平面型 fram 单元,将单元的面积降至最小,并且利用铱电极和锆钛酸铅 (pzt) 铁电薄膜层来形成铁电电容。



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