比普通闪存快30倍 三星发布新型闪存芯片PRAM
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:394
| 据外电报道，三星电子公司周一发布了一种新型闪存芯片，据称这种新内存可更快储存新数据，从而可使数码设备工作更快。 新产品属于阶段变化随机读取内存（pram)，芯片是非易失性的，这意味着这种内存即便在电子设备关闭时仍能保存数据。三星公司称，新产品比现行普通闪存快30倍以上。 三星说，新内存有望在2008年上市。本周一在首尔召开的新闻发布会上，三星公司展示了512mb容量的原型pram芯片。 当前电子设备广泛使用的非易失性闪存有两种—nor和nand。 nor闪存适合直接运行软件，但是它速度较慢，而且制造价格昂贵。nand闪存容易大规模制造，更适合大容量文件储存，比如mp3音乐文件。 三星公司说，pram闪存芯片采用垂直二极管和三维晶体管结构，以便使体积更小。三星称，与nor和nand芯片不同的是，pram闪存不需要在储存新数据前擦除旧数据。 三星在周一还展示了用较精细40纳米级工艺制造的32gb容量的nand闪存芯片。 | |
| 据外电报道，三星电子公司周一发布了一种新型闪存芯片，据称这种新内存可更快储存新数据，从而可使数码设备工作更快。 新产品属于阶段变化随机读取内存（pram)，芯片是非易失性的，这意味着这种内存即便在电子设备关闭时仍能保存数据。三星公司称，新产品比现行普通闪存快30倍以上。 三星说，新内存有望在2008年上市。本周一在首尔召开的新闻发布会上，三星公司展示了512mb容量的原型pram芯片。 当前电子设备广泛使用的非易失性闪存有两种—nor和nand。 nor闪存适合直接运行软件，但是它速度较慢，而且制造价格昂贵。nand闪存容易大规模制造，更适合大容量文件储存，比如mp3音乐文件。 三星公司说，pram闪存芯片采用垂直二极管和三维晶体管结构，以便使体积更小。三星称，与nor和nand芯片不同的是，pram闪存不需要在储存新数据前擦除旧数据。 三星在周一还展示了用较精细40纳米级工艺制造的32gb容量的nand闪存芯片。 | |
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