意法半导体率先推出SO8N封装的8Mbit和16Mbit串行代码存储闪存
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:418
m25p80和m25p16是8-mbit (1m x 8)和16-mbit (2m x 8)串行闪存,具有先进的写保护机制,支持速度高达50mhz的spi兼容总线的存取操作,能够把程序快速加载到设备的ram内存中。用一条四线高速串行接口替代并行存储器接口,这种设计可以使用更小的封装,需要的引脚的数量较少,从而实现了节省成本和电路板空间的目的。此外,系统cpu或asic的引脚数量也相应地被减少。
采用0.11纳米制造技术,st的设计在150mm宽的so8封装的裸片上实现了高达16mbit的存储容量。新产品还有其它型号的封装,包括 5 x 6mm mlp8。m25p16还有一款208mm宽的so8w封装。全部都是无铅封装,并达到了rohs法令的规定。 st拥有各种不同系列的串行闪存产品,新的8mbit和16-mbit芯片增加了其重要的核心产品的范围,使产品的存储密度从512-kbit一直扩展到128-mbi。
这两款新闪存ic的工作电压范围2.7v到3.6v, 工作温度范围-40到+85摄氏度。软件功能包括整体擦除和扇区擦除、灵活的页编程指令和写保护,jedec标准两字节电子签名简化了设备身份验证,同时向后兼容一字节电子签名。数据保存期限20年,每个扇区可承受100,000次擦写循环。
m25p80和m25p16的样品现已上市销售,批量订货单价分别为0.95 美元(m25p80)和1.20美元 (m25p16)。
m25p80和m25p16是8-mbit (1m x 8)和16-mbit (2m x 8)串行闪存,具有先进的写保护机制,支持速度高达50mhz的spi兼容总线的存取操作,能够把程序快速加载到设备的ram内存中。用一条四线高速串行接口替代并行存储器接口,这种设计可以使用更小的封装,需要的引脚的数量较少,从而实现了节省成本和电路板空间的目的。此外,系统cpu或asic的引脚数量也相应地被减少。
采用0.11纳米制造技术,st的设计在150mm宽的so8封装的裸片上实现了高达16mbit的存储容量。新产品还有其它型号的封装,包括 5 x 6mm mlp8。m25p16还有一款208mm宽的so8w封装。全部都是无铅封装,并达到了rohs法令的规定。 st拥有各种不同系列的串行闪存产品,新的8mbit和16-mbit芯片增加了其重要的核心产品的范围,使产品的存储密度从512-kbit一直扩展到128-mbi。
这两款新闪存ic的工作电压范围2.7v到3.6v, 工作温度范围-40到+85摄氏度。软件功能包括整体擦除和扇区擦除、灵活的页编程指令和写保护,jedec标准两字节电子签名简化了设备身份验证,同时向后兼容一字节电子签名。数据保存期限20年,每个扇区可承受100,000次擦写循环。
m25p80和m25p16的样品现已上市销售,批量订货单价分别为0.95 美元(m25p80)和1.20美元 (m25p16)。