奇梦达股份公司宣布推出全球首款183兆赫双数据速率同步移动ram（ddr366）。这款全新的存储器件采用60球细密球型网数组封装（fbga封装），存储容量为512mb, 工作电压为1.8v，符合jedec ddr标准。为提高系统制造商对高带宽市场需求的回应，奇梦达率先推出的183赫兹移动ram将以其低功耗满足具有多种应用的消费类手持终端不断增长需求。 　

　　这款全新高速移动ram的数据传输速率为366兆比特/秒，比标准ddr266 dram快30%。在系统设计不改变的前提下，该性能记录是采用常规bga封装方式实现的。作为移动ram市场的领导者，奇梦达与主要的客户和领先处理器厂商密切合作，确保2007年推出的系统平台的互通性。

　　这款移动ram不但具备电池供电设备所需的超低功耗，而且采用了适用于板卡空限受限产品的极其紧凑的芯片级封装。立足于自身的节电型沟道技术，以及电源管理特性，例如tcsr（温度补偿自刷新）、pasr（部分阵列自刷新）、otcs（片上温度传感器）和dpd

供货情况 　

　　奇梦达正在供应存储密度高达512mb、工作电压为2.5v和1.8v、速率为183兆赫的sdr和ddr移动ram。183兆赫ddr366移动ram的设计样品现已供货，其存储密度为512mb，电源电压为1.8v，采用60球fbga封装。