晶圆代工新商机

　　soc的尺寸越来越小，嵌入式内存制造难度也越来越提升，晶圆代工业者必须介入此市场，否则可能难以接到idm及ic设计业者的订单。

　　最近晶圆代工大厂如台积电、联电或是日本nec加足马力跨入嵌入式内存产业，从日前台积电正式由日本nec抢下绘图芯片amd-ati嵌入式内存订单，紧接着又有联电与尔必达(elpida)双方共同宣布携手合作，由此可见未来晶圆代工大厂跨入嵌入式内存将只增不减。

　　内存将是soc芯片中最佳“难”配角

　　长久以来对于一些全球逻辑ic厂大商来说，无论是绘图芯片厂商、数字讯号处理(dsp)厂或是基频处理器(baseband)公司来说，这些逻辑ic厂商过去所制造芯片中，内部均已包含了6t内存芯片组，由于过去终端商品体积偏大，因此将6t内存芯片与逻辑ic绑在一起，成为一颗标准soc产品时，对逻辑ic厂商来说，并不会有什么困难

　　但受到未来终端商品对体积上的要求愈来愈「轻、薄、短、小」，相对内存体积也愈来愈被要求尽可能缩小，这样一来，对于为过去向来已习惯用6t内存包进逻辑ic的逻辑ic厂便形成技术瓶颈，原因在于逻辑ic厂根本不知道如何将体积大幅缩小的内存包进逻辑ic芯片中，因此必须将其交给先进晶圆代工厂代工。

　　晶圆代工厂非投入嵌入式内存代工不可

　　近来晶圆代工大厂之所以会一股脑在嵌入式内存工艺中大量投入资金与人力，原因在于不这样做，未来想要再继续接到国际idm大厂或ic设计公司订单机会恐将愈来愈小，基本来说，晶圆代工厂要生存下去，投入嵌入式内存工艺已是刻不容缓的事。

　　晶圆代工厂过去所思考的仅是如何以最稳定工艺，最高的产出良率，以及最优惠的价格来吸引idm厂或ic设计公司订单，但由于嵌入式内存工艺已成为未来整个半导体市场主流趋势，晶圆代工厂所面临到的，便是一些传统内存大厂如三星电子(samsungelectronics)、美光(micron)、海力士(hynix)、奇梦达(qimonda)等原本就已专注在内存产业dram厂商。

　　换言之，这些dram厂也体认到自家原本的8英寸厂除了一些可继续制造特殊型内存、nandflash或norflash外，将触角延伸进嵌入式内存工艺领域也是消耗产能，扩展营收的另一条路。

　　因此，未来dram厂与晶圆代工厂互抢订单局面将会屡见不鲜，简单来说，台积电、联电不做的话，后面的dram厂可说是一缸子人抢着做。

　　术业有专攻内存市场三分天下

　　未来内存市场大约可区分为3大类，且由3不同半导体产业厂商各司其职，一则是由专业晶圆代工厂台积电、联电、nec等这些厂商主导，其主导的市场主要在嵌入式内存工艺部分，而目前看来这些晶圆代工厂所能掌握的市场，是锁定在soc芯片内部所包含的内存容量在16mb以下者，这部分是晶圆代工厂较有机会掌握的。

　　根据英特尔内部规划进度来看，旗下所生产的中央处理器至2008年，工艺技术推进到45纳米工艺技术时，中央处理器内部将会包含16mbsram，届时英特尔中央处理器总出货量中便有高达70%会采用嵌入式内存技术。