串行FLASH SSF1101在单片机
发布时间:2008/5/27 0:00:00 访问次数:705
来源:国外电子元器件 作者:李 敏 孟 臣
摘要:ssf1101是存储容量为4mbit的spi串行接口flash存储器,其ic卡封装形式可作为单片机系统的大容量数据存储卡。文中介绍了该器件的主要特性和工作原理,并以ic卡封装形式为例,给出了其与单片机的接口电路及相应的读写程序。
关键词:串行flash 单片机 ic卡
1 概述对于野外移动工作或不便与上位机通信的单片机数据采集系统,使用一个大容量、可插拔、便于更换和携带的智能卡来存储采集到的数据,是一个较好的数据存储方案。ssf1101是上海新茂半导体有限公司生产的4mbit串行接口可编程闪速存储器,该器件采用spi串口模式与单片机或微机通信,无需任何外围元件。利用该器件提供的ic卡封装形式,可非常方便地和单片机系统进行接口以构成大容量的数据存储装置。同时,该芯片具有封装尺寸小、集成度高、电压低、存储容量大、接口方式简单等优点,在商业和工业领域具有广泛的应用前景。
2 性能特点
ssf1101是一个4mbit的串行flash存储器,具有4根器件识别脚,可在一个系统中最多能扩展16片,其总存储容量可达8m字节,该器件的性能特点如下:
●spi串行数据接口符合spi标准;
●器件内具有4m bit 闪速存储器,512页,每页1024字节;
●内置4位器件地址译码电路,可直接并联扩展存储容量,最多可连接16片;
●带有双1k字节的数据缓冲器,可在编程期间写入或读取数据,且读取/写入地址自动递增;
●高速页面编程,典型时间为20ms;
●高速页面到数据缓冲器的传输典型时间为100μs;
●页面擦除典型时间为10ms;
●器件擦除典型时间为2s;
●内置擦除/编程时序逻辑;
●可硬件写保护;
●时钟频率最高达10mhz;
●采用单5v电源工作,并有低电压2.7~3.5v可供选择;
●低功耗,休眠电流典型值为18μa;
●与cmos电平和ttl输入/输出电平兼容;
●工作温度很宽(商用);
●内置上电复位电路;
●在数据缓冲器和主flash之间进行传送或比较时,可对未用的数据缓冲器和状态寄存器进行操作。
ssf1101采用32脚tsop封装和ic卡封装两种形式,其tsop封装外形及引脚排列如图1(a)所示,ic卡的触点配置如图1(b)所示。器件的引脚功能说明见表1所列。
表1 ssf110引脚说明
序 号
引脚名
i/o
描 述
1
rdy/busy
o
闲/忙指示,此脚为低时表示器件忙,不能闪存进行操作
2
rst
i
复位,低有效
3
wp
i
写保护,高有效。此信号有效时不能对闪存进行写擦除操作
6
vcc
i
电源
7,8
gnd
i
地
4,5,9,10
id0~id3
i
芯片地址a0~a3,只有命令中的device id和id0~id3引脚电平一致时,命令才会被器件接受
11
tm
i
测试引脚,正常使用时接地
12
cs
i
片选,低有效,命令输入后应重新置为高电平
13
sck
i
串行输入数据时钟
14
si
i
数据输入,命令和数据都由此脚串行输入
15
so
o/z
串行数据输出,三态
16~32
nc
z
空脚
3 工作原理ssf1101具有4194304位主存储单元,分成512页面、每页面1024个字节。此外ssf1101还包含有2个sram缓冲器,每个缓冲器有1024个字节,当主存储器内的1页正被编程时,缓冲器照样能接收输入数据。ssf1101使用spi串口访问它的数据,因而硬件设计十分方便,系统可靠性很强,并可把开关噪声降到最低。该芯片在编程期间,不需要高电压,而编程电压仍为电源电压。 图2所示是ssf1101存储器的内部结构框图。
ssf1101通过简单的spi串行口进行数据存取,器件的操作由主机发出的指令控制,一个有效指令包括一字节4位操作码、4位器件地址以及目的缓冲器或主储器地址位置
来源:国外电子元器件 作者:李 敏 孟 臣
摘要:ssf1101是存储容量为4mbit的spi串行接口flash存储器,其ic卡封装形式可作为单片机系统的大容量数据存储卡。文中介绍了该器件的主要特性和工作原理,并以ic卡封装形式为例,给出了其与单片机的接口电路及相应的读写程序。
关键词:串行flash 单片机 ic卡
1 概述对于野外移动工作或不便与上位机通信的单片机数据采集系统,使用一个大容量、可插拔、便于更换和携带的智能卡来存储采集到的数据,是一个较好的数据存储方案。ssf1101是上海新茂半导体有限公司生产的4mbit串行接口可编程闪速存储器,该器件采用spi串口模式与单片机或微机通信,无需任何外围元件。利用该器件提供的ic卡封装形式,可非常方便地和单片机系统进行接口以构成大容量的数据存储装置。同时,该芯片具有封装尺寸小、集成度高、电压低、存储容量大、接口方式简单等优点,在商业和工业领域具有广泛的应用前景。
2 性能特点
ssf1101是一个4mbit的串行flash存储器,具有4根器件识别脚,可在一个系统中最多能扩展16片,其总存储容量可达8m字节,该器件的性能特点如下:
●spi串行数据接口符合spi标准;
●器件内具有4m bit 闪速存储器,512页,每页1024字节;
●内置4位器件地址译码电路,可直接并联扩展存储容量,最多可连接16片;
●带有双1k字节的数据缓冲器,可在编程期间写入或读取数据,且读取/写入地址自动递增;
●高速页面编程,典型时间为20ms;
●高速页面到数据缓冲器的传输典型时间为100μs;
●页面擦除典型时间为10ms;
●器件擦除典型时间为2s;
●内置擦除/编程时序逻辑;
●可硬件写保护;
●时钟频率最高达10mhz;
●采用单5v电源工作,并有低电压2.7~3.5v可供选择;
●低功耗,休眠电流典型值为18μa;
●与cmos电平和ttl输入/输出电平兼容;
●工作温度很宽(商用);
●内置上电复位电路;
●在数据缓冲器和主flash之间进行传送或比较时,可对未用的数据缓冲器和状态寄存器进行操作。
ssf1101采用32脚tsop封装和ic卡封装两种形式,其tsop封装外形及引脚排列如图1(a)所示,ic卡的触点配置如图1(b)所示。器件的引脚功能说明见表1所列。
表1 ssf110引脚说明
序 号
引脚名
i/o
描 述
1
rdy/busy
o
闲/忙指示,此脚为低时表示器件忙,不能闪存进行操作
2
rst
i
复位,低有效
3
wp
i
写保护,高有效。此信号有效时不能对闪存进行写擦除操作
6
vcc
i
电源
7,8
gnd
i
地
4,5,9,10
id0~id3
i
芯片地址a0~a3,只有命令中的device id和id0~id3引脚电平一致时,命令才会被器件接受
11
tm
i
测试引脚,正常使用时接地
12
cs
i
片选,低有效,命令输入后应重新置为高电平
13
sck
i
串行输入数据时钟
14
si
i
数据输入,命令和数据都由此脚串行输入
15
so
o/z
串行数据输出,三态
16~32
nc
z
空脚
3 工作原理ssf1101具有4194304位主存储单元,分成512页面、每页面1024个字节。此外ssf1101还包含有2个sram缓冲器,每个缓冲器有1024个字节,当主存储器内的1页正被编程时,缓冲器照样能接收输入数据。ssf1101使用spi串口访问它的数据,因而硬件设计十分方便,系统可靠性很强,并可把开关噪声降到最低。该芯片在编程期间,不需要高电压,而编程电压仍为电源电压。 图2所示是ssf1101存储器的内部结构框图。
ssf1101通过简单的spi串行口进行数据存取,器件的操作由主机发出的指令控制,一个有效指令包括一字节4位操作码、4位器件地址以及目的缓冲器或主储器地址位置
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