在日前举行的国际电子器件大会(IEDM)的讲台上，英特尔公司对阵AMD和IBM的联盟，展示了采用应变硅实现明显性能增益的65纳米晶体管。

        英特尔目前正在制造几款65纳米处理器，明年初将开始交付商用微处理器产品。在IEDM大会上，英特尔出示了四款采用65纳米设计规则的双核微处理器图片，包括Yonah移动处理器和代码名为Cedarmill的桌面处理器。

        设于印度班加罗尔的英特尔技术印度公司高级工程经理Sunit Tyagi展示了一款性能比90纳米技术改进37%的65纳米晶体管，其附带宾环形振荡器延迟为4.25皮秒。

        英特尔在65纳米节点几乎没有做任何改变，不同于在沉积的SiGe区域PMOS器件的源漏区增加锗。内嵌SiGe在PMOS晶体管上产生一压缩应力，比英特尔的90纳米PMOS晶体管改进了30%。

        Tyagi表示，英特尔没有像AMD和IBM那样，在PMOS晶体管上添加压缩氮。英特尔决定将工艺保持尽可能简单，以控制成本。

        另一方面，AMD德累斯顿的技术专家Andy Wei介绍了AMD的一种新工艺，将其90纳米微处理器翻新，然后用于65纳米设计，并于明年下半年投入生产。IBM-AMD联盟的IBM项目主管Gary Bronner透露，IBM将在最初的65纳米处理器内采用这种新工艺。