Hittite推出15GHz低噪声PLO表面封装MMIC
发布时间:2007/9/7 0:00:00 访问次数:275
Hittite Microwave公司日前推出一款完全集成的InGaP HBT锁相环振荡器(PLO)表面封装MMIC——HMC535LP4。该芯片可用于点对点/多点、测试设备、工业及VSAT用户产品，频率范围在14.7GHz至15.4GHz之间。
HMC535LP4 GaAs InGaP HBT锁相环振荡器MMIC是完全集成器件，其中包括VCO、相位频率检测器(PFD)、固定模预计算器、环路放大器及数字锁检测(LD)输出。HMC535LP4可提供14.7至15.4 GHz的+9dBm输出，单边相位噪声仅为-110dBc/Hz，偏置为100kHz。输出功率及相位噪声受温度及振动影响小。与分立PLO相比，HMC535LP4可显著降低元件数量及电路板空间，相位噪声小。
HMC535LP4采用+5V和+12V电源，功耗低于2W，采用4×4 mm SMT无引脚QFN封装。符合RoHS的器件为HMC535LP4E，现在可提供样品及批量生产，可在线订购。公司还可为客户提供定制Custom PLO。
Hittite Microwave公司日前推出一款完全集成的InGaP HBT锁相环振荡器(PLO)表面封装MMIC——HMC535LP4。该芯片可用于点对点/多点、测试设备、工业及VSAT用户产品，频率范围在14.7GHz至15.4GHz之间。
HMC535LP4 GaAs InGaP HBT锁相环振荡器MMIC是完全集成器件，其中包括VCO、相位频率检测器(PFD)、固定模预计算器、环路放大器及数字锁检测(LD)输出。HMC535LP4可提供14.7至15.4 GHz的+9dBm输出，单边相位噪声仅为-110dBc/Hz，偏置为100kHz。输出功率及相位噪声受温度及振动影响小。与分立PLO相比，HMC535LP4可显著降低元件数量及电路板空间，相位噪声小。
HMC535LP4采用+5V和+12V电源，功耗低于2W，采用4×4 mm SMT无引脚QFN封装。符合RoHS的器件为HMC535LP4E，现在可提供样品及批量生产，可在线订购。公司还可为客户提供定制Custom PLO。
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