作者：岳婷

        我国存储器市场发展九大趋势

        中国半导体存储器市场发展趋势表现在以下几个方面：

        多芯片封装产品成市场主流

        多芯片封装(MCP)技术可以将FLASH、DRAM等不同规格的芯片利用系统封装方式整合成单一芯片，生产时间短、制造成本低，且具低功耗、高数据传输速率等优势，已经是便携式电子产品内置内存产品最主要的规格。另外，数字电视、机顶盒、网络通信产品等也已经开始采用各式MCP产品。

        2004年，MCP的全球需求量由2003年的2.3亿块增长到3.4亿块，增长了47.8%。预计2005年全球需求量将达到4.2亿块。包括Samsung、Hynix、Intel等重量级IC厂商都纷纷看好此市场前景，竞相推出相关产品。目前Renesas的嵌入式存储器出货量中大约90%是MCP，Spansion公司无线市场上存储器的出货量80%也是MCP，而两年前这一比例只有30%。

        SRAM发展面临挑战

        针对不同的应用市场，SRAM产品的技术发展已经呈现出了两大趋势：一是向高性能通信网络所需的高速器件发展；另一个是降低功耗，以适应蓬勃发展的便携式应用市场。

        2004年，手机等移动终端市场对SRAM的需求约占总需求的50%左右，另有30%左右的SRAM产品被通信市场消化。

        未来SRAM市场的增长将是平稳和渐进的。这种特点一方面与其所服务的应用市场的发展有关，更重要的一点是传统的SRAM技术正在受到其他竞争性的DRAM技术的冲击。例如，在高速网络方面，FCRAM和RLDRAM技术正在相互竞争中快速成长；在便携式应用领域，诸如CellularRAM与Mobile FCRAM等PSRAM产品也正在逐渐挤压原先由SRAM独占的低功耗应用空间。

        DDR2成主流尚需时日

        在2004年第二季度举办的Intel信息技术峰会(IDF)上，许多DRAM厂商都推出了DDR2产品的样片，但是，DDR2成为市场主流还需要时日。目前，DDR2产品的价格还很高。而DDR2产品价格偏高主要因素有以下几个方面：首先，因为DDR2器件尺寸的增加，每个晶圆上生产出更少的器件；其次，DDR2采用了成本较高的BGA封装和速度更快的测试，也增加了成本。通常，产品在进入市场的前6个季度都会存在价格偏高的现象，随着技术的发展和产量的增加，DDR2产品的价格将会不断下降。总之，DDR和DDR2产品还必然会在市场上并存很长一段时间。

        手机成技术发展推动力

        手机正在取代PC成为高密度半导体存储器的技术驱动器，而且很可能在未来几年主导存储器市场的发展。随着市场从简单的语音终端转向功能电话、智能电话及移动媒体网关，这种小型的设备已经具备操作系统及文件系统。

        为了满足这种市场需求，一场竞争已经在四种产品中展开：目前用于保存易失数据的DRAM存储器，用于代码存储的NOR FLASH，试图提高速度以超越附加卡应用的NAND FLASH，以及已经在一些功能电话中出现的微型硬盘。

        在2004年Electronica展览会上，Samsung发布了采用90纳米工艺的1Gb OneNAND。这种带有一个NOR接口的NAND闪存具有高达5Kb的内部缓存RAM，它能提供100 Mbps的恒定读取速率，这比现有的NAND FLASH快4倍。M-Systems提供了基于NAND的固态磁盘仿真硬件。该产品可以将媒体数据直接写入系统，而不必将其在DRAM中进行缓存，可以减少系统中DRAM的数量。Spansion声称将把其NOR MirrorBit FLASH发展成与普通NAND FLASH具有相同密度和价位水平的产品，同时提供更快的速度和更高的可靠性。

        数字电视将成市场第二推动力

        在消费性电子市场里，由于数字电视采用密度相对较高的DRAM，一旦数字电视开始大量出货时，它将很有可能成为影响DRAM市场的重要因素。

        数字电视用存储器基本上与其分辨率和显示屏幕大小有关。由于影像处理需大量数据传输与运算，因此数字电视使用内存密度大约在2Mb到16Mb这个范围。一般而言，分辨率愈高、屏幕面积愈大，所需的内存密度也愈高。在某些高端数字