由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC宣布，它正在向嵌入式市场的客户提供全球第一款单芯片1Gb NOR闪存样品。这款基于90nm MirrorBit技术的1Gb MirrorBit GL是目前市场上容量最高的单芯片NOR闪存器件。它用于多种嵌入式应用中――从汽车导航系统、通信基础设施设备、游戏到工业控制――提供可靠的代码执行和数据存储。1Gb MirrorBit GL是第一款基于Spansion公司在9月发布的90nm MirrorBit工艺技术的产品。

　 “这款产品可以满足多样性的嵌入式市场对于容量、质量、成本结构和可扩展性的需求。”Spansion公司副总裁，负责嵌入式存储事业部营销事务的Ian Williams表示。“高容量的单芯片NOR闪存产品可以帮助客户降低设计成本，增强最终产品的功能，确保可靠的、快速的代码执行。另外，利用增大的存储容量，客户可以利用同一个芯片进行代码执行和数据存储。”　

　“Spansion公司发布的1Gb 90nm NOR设备使该公司继续保持其产品在容量方面的领先地位，自从该公司去年推出512 Mb芯片以来，它就一直处于这一领先地位”，Semico的非易失性内存服务总监Jim Handy说，“重要的是，他们能够从全面的角度出发设计该产品及其产品系列，以满足嵌入式市场的需求。与大家所关注的用于蜂窝电话的闪存芯片市场相比，这一市场常常会被忽略。”

        1Gb MirrorBit GL丰富了Spansion公司MirrorBit GL产品系列。该系列还包括目前业界唯一投产的单芯片512Mb NOR闪存产品。通过将MirrorBit技术扩展到90nm和将NOR闪存的容量增加一倍，Spansion可以降低组件成本，因为它让客户可以使用一个单芯片器件――而不是多个低容量的分离式解决方案，或成本更加昂贵的、包含层叠式低容量裸片的多芯片封装。而且，作为对现有嵌入式产品系列的扩展，该器件让客户可以轻松地过渡到新的高容量解决方案，而无需对系统进行成本高昂、复杂的重新设计。

        1Gb MirrorBit GL的封装和引脚兼容所有MirrorBit GL-M(230 nm)、MirrorBit GL-A(200 nm) 和MirrorBit GL-N(110 nm)，以及原有的富士通和AMD LV系列产品(包括采用320nm光刻技术的产品)。封装符合JEDEC标准。1Gb MirrorBit GL的工作电压为3.0V，随机读取速度为110 ns，并通过一个8字的页面缓冲区提供了25ns的分页读取速度。

        最新推出的1Gb MirrorBit GL产品让用户可以直接从闪存执行代码，或以很高的速度向DRAM写入数据。该产品支持从-40到+85摄氏度的工业温度范围。1Gb MirrorBit GL采用了一种专门设计以提供100%有效扇区的NOR架构，而无需错误校验(ECC)，并能够支持一个标准的并行接口，从而降低了系统的复杂度和成本。

        对于需要更高安全性的应用， Spansion在1Gb MirrorBit GL上采用了高级扇区保护(ASP)技术。ASP可以为敏感的软件算法或参数提供64位密码保护，从而提供了强大的、完整的、由设计人员定义的安全功能。利用这项功能，设计人员可以存储、锁定和保护那些保存在器件中任何扇区的代码或数据，或为他们的产品分配一个电子序列号(ESN)。在某些应用中，中央办公室可以利用一个ESN，从远程识别他们的设备、控制服务水平并记录访问次数，以便进行计费。该功能还有助于防止恶意攻击和病毒，以及避免服务遭受未经授权的使用。

        Spansion目前正在为选定的客户提供1Gb MirrorBit GL的样品。Spansion计划从第四季度末开始量产这款产品。1Gb MirrorBit GL的产品编号为S29GL01GP。该产品采用的封装包括56-pin TSOP和64-ball加固BGA封装。如定量达到一万片，每片的售价大约为18.50美元。

        除了这款新推出的1 Gb GL产品以外，Spansion公司还在开发一种基于MirrorBit ORNAND架构的1Gb产品。第一款MirrorBit ORNAND产品将为满足无线应用中对数据存储的需求而设计。