日本冲电气公司(Oki Electric)推出了一种晶体管结构，这种结构比以前的晶体管的待机消耗电流（掉电泄漏电流，off-leak current）降低了90%。

        日本冲电气公司(Oki Electric)推出的这种全耗尽型SOI晶体管，采用了非掺杂式架构和非交迭型SOI结构。以前的SOI器件当电压升高时，很难保证没有电流泄漏。而冲电气公司采用了非掺杂式架构成功地减少了电流的泄漏。

        由于以前的源极/漏极到栅极的交迭结构，使得在交迭区产生了寄生电容，从而影响了运行速度。而应用非交迭结构，冲电气公司减少了不必要的寄生电容，提高了运行速度。

        这种新结构器件，对NMOS使用P+栅极，对PMOS使用N+栅极，它和通常的CMOS栅极的极性是相反的，同时，由于采用了低成本的多晶硅栅极工艺，不但降低了成本还提高了兼容性。

        在2005年檀香山SOI会议上，日本冲电气公司详细论述了SOI (Silicon on Insulator)-CMOS结构的发展。