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美国充水晶圆芯片冷却技术大幅提高冷却效率

发布时间:2007/9/7 0:00:00 访问次数:260


  美国乔治亚技术学院(Georgia Institute of Technology)最近研制出一种芯片冷却工艺,据其称,这种工艺将取代微处理器使用的大体积金属冷却塔如G5。他们研制的充水晶圆能被集成到自冷却PCB上。

  由Microelectronics Advanced Research公司(Marco)加工的PCB将为倒装芯片安装的IC提供水管装置。在最新型的冷却系统内,水穿过微处理器及其它系统级芯片的硅衬底,通过蚀刻在晶圆背面的沟道进行循环。

  尽管这种技术仍然处于原型阶段,研究人员还是在晶院背面成功制造出了非常深的沟道,只有大约100微米宽。通常晶圆背面不被使用,但新技术利用了几乎整个表面区域用于冷却。因为硅芯片本身具有优越的热传导率,大大超越了传统的金属冷却塔的效率。

  该技术完全工作于低温,因此能在封装期间晶圆正面加工完后进行。按照研究人员计算,该技术能够冷却每平方厘米大约100瓦热量。该技术最初可被用于常规芯片,但最终将被集成到先进3D封装模块内。


  美国乔治亚技术学院(Georgia Institute of Technology)最近研制出一种芯片冷却工艺,据其称,这种工艺将取代微处理器使用的大体积金属冷却塔如G5。他们研制的充水晶圆能被集成到自冷却PCB上。

  由Microelectronics Advanced Research公司(Marco)加工的PCB将为倒装芯片安装的IC提供水管装置。在最新型的冷却系统内,水穿过微处理器及其它系统级芯片的硅衬底,通过蚀刻在晶圆背面的沟道进行循环。

  尽管这种技术仍然处于原型阶段,研究人员还是在晶院背面成功制造出了非常深的沟道,只有大约100微米宽。通常晶圆背面不被使用,但新技术利用了几乎整个表面区域用于冷却。因为硅芯片本身具有优越的热传导率,大大超越了传统的金属冷却塔的效率。

  该技术完全工作于低温,因此能在封装期间晶圆正面加工完后进行。按照研究人员计算,该技术能够冷却每平方厘米大约100瓦热量。该技术最初可被用于常规芯片,但最终将被集成到先进3D封装模块内。

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