3月15日北京消息 安捷伦科技日前宣布，推出Agilent 4075和4076 DC/RF/脉冲参数测试仪，用来检定使用高级工艺技术(如65 nm技术节点)制造的器件。通过Agilent 4075和4076，半导体测试工程师可以同时测量RF特点和DC特点，以满足当前体积日益缩小的多样化半导体器件需求，如65 nm及更高工艺的超薄栅氧化物晶体管、绝缘体上硅(SOI)晶体管和高介电常数(高k)器件。　　体积缩小和器件速度提高，日益需要在生产过程中实现新的参数测试功能，而过去只有在实验室中才需要这些功能。Agilent 4075和4076为精确检定新的器件结构提供了所需的灵活性，如超薄栅氧化物MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)或通信应用中使用的高速半导体器件。通过先进的设计，Agilent 4075和4076支持10-ns短脉冲式IV测量，对热量或电荷异常灵敏的器件必需进行此类测量，如高速逻辑应用中使用的SOI晶体管和高介电常数晶体管。此外，Agilent 4076支持直到1 fA的超低电流测量功能。

　　“Agilent 4075和4076使广大客户能够高效检定使用65 nm工艺技术制造的先进器件，从而加快器件开发周期，改善产出。”安捷伦Hachioji半导体测试分部副总裁兼总经理Minoru Ebihara说，“由于高频脉冲式测量功能，这些系统有助于正确检定对热量灵敏的器件。”

　　与整个4070系列一样，Agilent 4075和4076支持300 mm SECS/GEM自动化协议，这些协议已经在世界各地的生产线中得到验证。SECS/GEM是半导体行业的标准，保证制造设备共享一致的界面和行为。

　　Agilent 4075和4076同时支持HFCV (4294A)仪器和RFCV (ENA/PNA)仪器，使得用户能够选择最佳方法，满足自己的工艺技术和生产测试需求。另外，Agilent 4075和4076把高速电容测量单元(CMU)集成到测试头中，这一功能可以在1 kHz - 2 MHz频率范围内，对层间/层内氧化物非常快速地进行电容测量，从而改善吞吐量，降低测试成本。

　　通信应用和高速逻辑应用要求深入检定高速半导体器件的性能。Agilent 4075与4076皆支持利用PNA进行RF的S参数测试功能，相对于目前市面上使用VNA的解决方案，以PNA为主的RF解决方案可提供更高的产出速度。

　　诸如SOI或高k等最新的先进技术需要超短的脉冲测试能力，以防止产生有害的热量或电荷敏感效应。然而，生产测试系统的脉冲式测量能力却只限于测量微秒的范围。Agilent 4075与4076可提供短至10纳秒的超短脉冲式IV测量能力，能有效地测量SOI或高k晶体管等对热或电荷高度敏感组件的特性。

　　Agilent 4076还为生产测试提供了实验室测试功能。高级工艺通常要求在生产中精确测量各种参数，如MOSFET低于门限的泄漏电流和铜(Cu)金属Van der Paw电阻。这些测量要求异常精确的电流和电压测量分辨率，而此前只有实验室中才能提供这种分辨率。

　　Agilent 4075和4076所有的RF、HFCV和超短脉冲式IV测量功能都可以在整个新设计的直接对接接口上使用。这种直接对接的设计可通过自动化的探针卡更换机制，让使用者轻易地控制和变换探针卡，而且这种RF直接对接的方式也不会减少任何的DC针脚。

　　如需了解安捷伦半导体测试产品有关的更多信息，可访问网址：www.agilent.com/see/atenews。