随着CPU内核数量的不断增加以满足数据中心工作负载需求，系统对更高的内存带宽与容量的需求也显著增长，从而在应对“内存墙”挑战的同时优化客户的总体拥有成本。

1β DDR5 DRAM支持计算能力向更高的性能扩展，能支持数据中心和客户端平台上的人工智能（AI）训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库（IMDB）等应用。全新1β DDR5 DRAM产品线提供速率从4,800 MT/s到7,200 MT/s的现有模块密度，能够满足数据中心和客户端的应用需求。

面向客户端和数据中心平台的1β DDR5 DRAM量产及出货，标志着行业的一个重要里程碑。我们与生态系统合作伙伴及客户紧密合作，将推动高性能内存产品的市场普及。

在这类应用中，必须使用高速开关器件，因此，支持高速开关的GaN器件的同时，还开发出可更大程度地激发出GaN器件性能的超高速驱动栅极驱动器IC。不仅如此，还会不定期推出更小型的WLCSP*2产品，助力应用产品的小型化。

新产品实现了纳秒（ns）量级的栅极驱动速度，从而使GaN器件可实现高速开关。

之所以能实现该特性，离不开ROHM对GaN器件的深入研究以及对栅极驱动器IC性能的追求。通过最小栅极输入脉宽为1.25纳秒的高速开关，助力应用产品实现小型化、进一步节能和更高性能。

KickStart连接器系统，进一步丰富了其符合开放计算项目标准的解决方案。作为创新的一体化系统，KickStart是首款符合OCP标准的解决方案，将低速和高速信号以及电源电路集成到单一电缆组件中。

这个完整的系统消除了多个元件的需求，优化空间利用，并加速升级，为服务器和设备制造商提供一种启动驱动器外设连接的方法，不但灵活、标准化，又易于实施。

最新一代免趋动USB千兆以太网芯片,提供客户一个即插即用的USB转千兆以太网芯片解决方案，无需烦人的驱动程序下载与安装步骤，从而优化客户的连网体验。

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