传感器检测电机轴位置和方向盘旋转将数据发送到电子控制单元
发布时间:2024/9/22 20:32:36 访问次数:152
两个不同的功率模块：第一个模块叫做GAP1，内部裸片阈压Vth的最大分布范围是250mV（围绕平均值+/-125mV），第二个模块叫做GAP2，Vth的最大变化范围是500mV（围绕平均值+/-250mV）。
采用两个不同的开关频率进行测试：电驱逆变器的典型工作频率8kHz和12kHz。众所周知，耗散功率的增加与开关频率成正比。
相对于SiC在高耐压和大工作电流方面具有的优势，GaN更有望在100~600V中等耐压范围内，凭借出色的击穿场强和电子饱和速度，实现低导通电阻和高速开关（高频率工作）性能。
12V电池会在车辆行驶期间充电，因此12V电压轨的电流消耗不太重要。当车辆停车且未进行充电时，高压接触器会断开，因此 >400V电池会与系统断开连接，并且无法为12V电池充电。
12V电池仍需为BCU和其他常开功能供电，而且供电时长尚不确定。
低功耗对于这类常开设备非常重要。通常，对于所有常开功能，原始设备制造商希望从12V电池汲取的平均电流不超过100µA。
电动助力转向系统由转向柱、电子控制转向电机以及电子感应与控制机制组成。当驾驶员转动方向盘时，由电机（通常是无刷直流电机）协助转向，这取代了传统的机械和液压系统。
EPS 系统的优点包括运行更快且更智能、减少二氧化碳排放、提高燃油效率并增强用户体验。驾驶员在方向盘界面提供系统输入。传感器检测电机轴的位置和方向盘的旋转，并将数据发送到电子控制单元 （ECU）。
氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）同属第三代半导体，相比硅基半导体（Si），具有禁带宽度更宽、高耐压、热导率、电子饱和速度更高的特点，能够满足现代电子技术对半导体材料提出的高温、高功率、高压、高频要求。而相对于SiC在高耐压和大工作电流方面具有的优势，GaN更有望在100~600V中等耐压范围内，凭借出色的击穿场强和电子饱和速度，实现低导通电阻和高速开关（高频率工作）性能。
深圳市恒凯威科技开发有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
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采用两个不同的开关频率进行测试：电驱逆变器的典型工作频率8kHz和12kHz。众所周知，耗散功率的增加与开关频率成正比。
相对于SiC在高耐压和大工作电流方面具有的优势，GaN更有望在100~600V中等耐压范围内，凭借出色的击穿场强和电子饱和速度，实现低导通电阻和高速开关（高频率工作）性能。
12V电池会在车辆行驶期间充电，因此12V电压轨的电流消耗不太重要。当车辆停车且未进行充电时，高压接触器会断开，因此 >400V电池会与系统断开连接，并且无法为12V电池充电。
12V电池仍需为BCU和其他常开功能供电，而且供电时长尚不确定。
低功耗对于这类常开设备非常重要。通常，对于所有常开功能，原始设备制造商希望从12V电池汲取的平均电流不超过100µA。
电动助力转向系统由转向柱、电子控制转向电机以及电子感应与控制机制组成。当驾驶员转动方向盘时，由电机（通常是无刷直流电机）协助转向，这取代了传统的机械和液压系统。
EPS 系统的优点包括运行更快且更智能、减少二氧化碳排放、提高燃油效率并增强用户体验。驾驶员在方向盘界面提供系统输入。传感器检测电机轴的位置和方向盘的旋转，并将数据发送到电子控制单元 （ECU）。
氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）同属第三代半导体，相比硅基半导体（Si），具有禁带宽度更宽、高耐压、热导率、电子饱和速度更高的特点，能够满足现代电子技术对半导体材料提出的高温、高功率、高压、高频要求。而相对于SiC在高耐压和大工作电流方面具有的优势，GaN更有望在100~600V中等耐压范围内，凭借出色的击穿场强和电子饱和速度，实现低导通电阻和高速开关（高频率工作）性能。
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