半导体等离子体源和用于生产合成金刚石微波等离子体化学气相沉积设备
发布时间:2024/8/28 8:11:38 访问次数:131
GTH2e-2425300P ISM CW放大器，这是一款2.4-2.5 GHz、300W的预匹配离散型GaN on SiC高电子迁移率晶体管。GTH2e-2425300P可为各类工业、科学和医学（ISM）应用带来全新的效率水平，其中包括半导体等离子体源和用于生产合成金刚石的微波等离子体化学气相沉积设备。
内部匹配功能实现了简单的PCB设计，无论是效率为76%的400W窄带设计，还是整个频带效率为72-74%的300W设计均是如此。
在AB级和C级都表现良好，并且其饱和功率下17dB的增益简化了驱动器的要求。
凭借100µm或150µm的超低剖面外形尺寸，这些二极管成为保护智能手机、无线耳机、智能手表及其他空间狭小的许多便携式应用免受静电放电影响的绝佳解决方案。其超低电容（低至0.18pF）可满足高速接口应用的超高要求，能有效保证信号的完整性。
而测试这些应用需要用到信号发生器,以便在使用更大的带宽时能够保持出色调制质量。
基于AMD的Supermicro H13代WIO服务器，该产品经过优化，可为采用新型AMD EPYC™8004系列处理器的边缘和电信数据中心提供强大的性能和能源效率。
单插槽服务器，搭载AMD EPYC 8004系列CPU，最多64个内核，支持最新的PCIe 5.0 x16插槽。
全新Supermicro H13 WIO和短深度前置I/O系统提供高能效的单插槽服务器，可降低企业、电信和边缘应用的运营成本。这些系统设计有紧凑的外形尺寸和灵活的I/O选项，可用于存储和联网，使新服务器成为在边缘网络中部署的理想选择。
深圳市金狮鼎科技有限公司https://lionfly.51dzw.com
GTH2e-2425300P ISM CW放大器，这是一款2.4-2.5 GHz、300W的预匹配离散型GaN on SiC高电子迁移率晶体管。GTH2e-2425300P可为各类工业、科学和医学（ISM）应用带来全新的效率水平，其中包括半导体等离子体源和用于生产合成金刚石的微波等离子体化学气相沉积设备。
内部匹配功能实现了简单的PCB设计，无论是效率为76%的400W窄带设计，还是整个频带效率为72-74%的300W设计均是如此。
在AB级和C级都表现良好，并且其饱和功率下17dB的增益简化了驱动器的要求。
凭借100µm或150µm的超低剖面外形尺寸，这些二极管成为保护智能手机、无线耳机、智能手表及其他空间狭小的许多便携式应用免受静电放电影响的绝佳解决方案。其超低电容（低至0.18pF）可满足高速接口应用的超高要求，能有效保证信号的完整性。
而测试这些应用需要用到信号发生器,以便在使用更大的带宽时能够保持出色调制质量。
基于AMD的Supermicro H13代WIO服务器，该产品经过优化，可为采用新型AMD EPYC™8004系列处理器的边缘和电信数据中心提供强大的性能和能源效率。
单插槽服务器，搭载AMD EPYC 8004系列CPU，最多64个内核，支持最新的PCIe 5.0 x16插槽。
全新Supermicro H13 WIO和短深度前置I/O系统提供高能效的单插槽服务器，可降低企业、电信和边缘应用的运营成本。这些系统设计有紧凑的外形尺寸和灵活的I/O选项，可用于存储和联网，使新服务器成为在边缘网络中部署的理想选择。
深圳市金狮鼎科技有限公司https://lionfly.51dzw.com
相关技术资料- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
- 4-28解读人形机器人关键技术和未来趋势
- 4-28世界最小应变式六维力传感器结构参数设计
- 4-28高精度信号采集通讯模块RS485
- 4-28高分辨率磁编码器工作原理
- 4-28静态随机存取存储器（SRAM）
- 4-28标准单元库、嵌入式内存和GPIOs产品名词及应用介绍
公网安备44030402000607
