电路中有耦合电感线圈可以用去耦等效电路替代本质还是等效原理
发布时间:2024/8/6 19:42:07 访问次数:371
所有的高速芯片(频率大于10MHz)需要类似于图1连接的旁路电容来实现好的性能。
此处磁珠并非100%必要，但会增强高频噪声的隔离和去耦，通常较为有利。这里可能需要验证磁珠会不会在IC处理高电流时饱和。
请注意，对于一些磁珠，即使在饱和发生之前，一些磁珠可能已经非线性了，所以如果需要功率级以低失真输出进行工作，这也应该被检查验证。
电路中有耦合的电感线圈可以用去耦等效电路替代，其本质还是等效的原理。
如果IB为10μA，则工作点为Q2.从放大功能的角度来看,信号的变动幅度为+5μA，两者都可以进行放大，但若信号的变动为+20μA，则在Q2点振幅会溢出。集电极电流Ic不会变到0以下，因此输入信号波形的下部就被截去了。
从此意义上来说，若工作点选择Q1，勉强可以使集电极电流Ic追随输入信号的变化。但输入信号更大的时候，就必须考虑减小负载电阻或更换晶体管。
若电路中多个线圈两两有互感，则其去耦等效电路需要逐对一一消除耦合。
一般来讲,高速信号接口上串电阻基本就是阻抗匹配作用,一般来说如果LAYOUT比较好此电阻贴0欧没问题的,如果出现问题,就可以通过改变串连的小电阻来调节信号质量，从而达到消除过冲、振铃目的。
由于IGBT集电极产生较大的电压尖脉冲，增加IGBT栅极串联电阻RG有利于其安全工作。但是棚极电阻RG不能太大也不能太小，如果RG增大，则开通关断时间延长，使得开通能耗增加;相反，如果RG太小，则使得didt增加，容易产生误导通。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
所有的高速芯片(频率大于10MHz)需要类似于图1连接的旁路电容来实现好的性能。
此处磁珠并非100%必要，但会增强高频噪声的隔离和去耦，通常较为有利。这里可能需要验证磁珠会不会在IC处理高电流时饱和。
请注意，对于一些磁珠，即使在饱和发生之前，一些磁珠可能已经非线性了，所以如果需要功率级以低失真输出进行工作，这也应该被检查验证。
电路中有耦合的电感线圈可以用去耦等效电路替代，其本质还是等效的原理。
如果IB为10μA，则工作点为Q2.从放大功能的角度来看,信号的变动幅度为+5μA，两者都可以进行放大，但若信号的变动为+20μA，则在Q2点振幅会溢出。集电极电流Ic不会变到0以下，因此输入信号波形的下部就被截去了。
从此意义上来说，若工作点选择Q1，勉强可以使集电极电流Ic追随输入信号的变化。但输入信号更大的时候，就必须考虑减小负载电阻或更换晶体管。
若电路中多个线圈两两有互感，则其去耦等效电路需要逐对一一消除耦合。
一般来讲,高速信号接口上串电阻基本就是阻抗匹配作用,一般来说如果LAYOUT比较好此电阻贴0欧没问题的,如果出现问题,就可以通过改变串连的小电阻来调节信号质量，从而达到消除过冲、振铃目的。
由于IGBT集电极产生较大的电压尖脉冲，增加IGBT栅极串联电阻RG有利于其安全工作。但是棚极电阻RG不能太大也不能太小，如果RG增大，则开通关断时间延长，使得开通能耗增加;相反，如果RG太小，则使得didt增加，容易产生误导通。
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