测试和测量系统部署到机密领域需要系统进行一个关联解密过程
发布时间:2024/6/30 14:10:42 访问次数:60
GCM多层陶瓷电容器，Murata GCM多层陶瓷电容器设计用于提供出色的脉冲响应度和降噪能力，得益于高频率下的极低阻抗特性。
通常情况下，如果将测试和测量系统部署到机密领域，则需要这些系统进行一个关联的解密过程。
电容器的额定电压为630VDC，工作温度范围为-55°C至125°C。GCM陶瓷电容器采用纸带或压纹带以及卷轴封装，可实现自动贴装。
这些电容器的电容范围为0.012F至22F，容差为2%/5%，符合RoHS指令。
CoolSiC 1200V和2000V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品,其采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计.
增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。
相比传统的62mm IGBT模块，其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。LM2594MX-5.0/NOPB
电容式触摸传感器不需要实际的物理按压，使用者可以通过轻轻接触到触摸面板即可进行操作，多数电容式触摸传感器能够支持多点触摸，使得用户可以同时使用多个手指进行各种手势操作。
电容式触摸传感器可以制作成透明的形式,因此能够应用在透明或半透明的表面上,增加设计的灵活性。
由于其无机械结构、透明性和轻薄特性，电容式触摸传感器有助于设备的轻薄化设计，并对于表面污染的敏感度相对较低，通常比一些机械式触摸技术更为耐用和稳定，在未被触摸时，电容式触摸传感器的功耗通常较低，有助于节省电能。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
GCM多层陶瓷电容器，Murata GCM多层陶瓷电容器设计用于提供出色的脉冲响应度和降噪能力，得益于高频率下的极低阻抗特性。
通常情况下，如果将测试和测量系统部署到机密领域，则需要这些系统进行一个关联的解密过程。
电容器的额定电压为630VDC，工作温度范围为-55°C至125°C。GCM陶瓷电容器采用纸带或压纹带以及卷轴封装，可实现自动贴装。
这些电容器的电容范围为0.012F至22F，容差为2%/5%，符合RoHS指令。
CoolSiC 1200V和2000V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品,其采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计.
增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。
相比传统的62mm IGBT模块，其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。LM2594MX-5.0/NOPB
电容式触摸传感器不需要实际的物理按压，使用者可以通过轻轻接触到触摸面板即可进行操作，多数电容式触摸传感器能够支持多点触摸，使得用户可以同时使用多个手指进行各种手势操作。
电容式触摸传感器可以制作成透明的形式,因此能够应用在透明或半透明的表面上,增加设计的灵活性。
由于其无机械结构、透明性和轻薄特性，电容式触摸传感器有助于设备的轻薄化设计，并对于表面污染的敏感度相对较低，通常比一些机械式触摸技术更为耐用和稳定，在未被触摸时，电容式触摸传感器的功耗通常较低，有助于节省电能。
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