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DRAM闪存芯片价格反弹,上涨可望持续到9月

发布时间:2007/9/5 0:00:00 访问次数:210


  制造商和供应商表示,内存产品的合约价格,如DDR、DDR2、SDRAM和NAND闪存在7月出现反弹。256Mb的DDR-400合约价格上涨了2.3%,达到22美元,而512Mb的DDR-400/333/266内存价格上升3.3%,达到44美元。几家DRAM制造商表示,由于季节性需求强劲,价格向上的趋势可能会一直保持到9月份。

    DRAMeXchange组织预测,在2005年9月和11月期间,256Mb的DDR-400价格可能会上涨到26美元的最高点。

  台湾南亚科技(Nanya Technology)已经将其256Mb的DDR-400 DIMM(双直列存储器模组)合约价格提高了5%以上,达到到23美元。韩国三星电子也已经把部分产品价格比平均合约价格提高了20%,7月份,该公司4Gb和8Gb的NAND闪存芯片报价抬高了1美元。

    另外,Hynix Semiconductor公司也计划提高16Mb的SDRAM-166价格至0.7美元。


  制造商和供应商表示,内存产品的合约价格,如DDR、DDR2、SDRAM和NAND闪存在7月出现反弹。256Mb的DDR-400合约价格上涨了2.3%,达到22美元,而512Mb的DDR-400/333/266内存价格上升3.3%,达到44美元。几家DRAM制造商表示,由于季节性需求强劲,价格向上的趋势可能会一直保持到9月份。

    DRAMeXchange组织预测,在2005年9月和11月期间,256Mb的DDR-400价格可能会上涨到26美元的最高点。

  台湾南亚科技(Nanya Technology)已经将其256Mb的DDR-400 DIMM(双直列存储器模组)合约价格提高了5%以上,达到到23美元。韩国三星电子也已经把部分产品价格比平均合约价格提高了20%,7月份,该公司4Gb和8Gb的NAND闪存芯片报价抬高了1美元。

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