涂布在晶圆上形成10㎛以上厚膜将存储器单元堆叠成垂直构造
发布时间:2024/6/16 0:22:36 访问次数:90
光阻剂用在硅晶圆的曝光制程，与通过光罩的光作用形成电路图形。曝光设备与材料依照曝光波长分为G-line、I-line、KrF、ArF与极紫外光(EUV)等多种方式，其中以极紫外光最为先进。
在生产3D NAND Flash的KrF光阻剂，涂布在晶圆上时必须形成10㎛以上的厚膜，之后才能顺利将存储器单元(Cell)堆叠成垂直构造。
高讯噪比(SNR)是必需的，在麦克风用于更大的距离时支持清晰的性能，及用于通常更清晰的音频撷取.特别是自动语音识别算法依赖高讯噪比以达到良好的文字准确率。 现在需要讯噪比大于64db的ASIC，辅以MEMS工程师实现的进展，以优化换能器的特点。
由于不同工作频率造成最小导通时间设置的困难;
由于杂散电感造成过早的同步整流关断，导通损耗增加;
轻载条件下由于电容电流尖峰导致同步整流电流反向，最终对系统产生不良影响。
同步整流控制器FAN6248,优化用于LLC谐振转换器,完美地解决上述挑战,适用于高能效服务器和台式电脑电源,大屏液晶电视及显示器电源、网络和电信电源、高功率密度适配器、高功率LED照明等等。
更希望在进一步捕捉麦克风的声音时之余能保有好的音频质量。
因此，对微机电系统（MEMS）麦克风的需求越来越多，MEMS麦克风在简洁的外观之余，同时提供高性能、保真度及可靠性，适用于携带式装置。
为避免杂讯干扰,同步整流会定义最小导通时间,FAN6248有自适应最小导通时间电路。
深圳市三得电子有限公司http://taixin168.51dzw.com
光阻剂用在硅晶圆的曝光制程，与通过光罩的光作用形成电路图形。曝光设备与材料依照曝光波长分为G-line、I-line、KrF、ArF与极紫外光(EUV)等多种方式，其中以极紫外光最为先进。
在生产3D NAND Flash的KrF光阻剂，涂布在晶圆上时必须形成10㎛以上的厚膜，之后才能顺利将存储器单元(Cell)堆叠成垂直构造。
高讯噪比(SNR)是必需的，在麦克风用于更大的距离时支持清晰的性能，及用于通常更清晰的音频撷取.特别是自动语音识别算法依赖高讯噪比以达到良好的文字准确率。 现在需要讯噪比大于64db的ASIC，辅以MEMS工程师实现的进展，以优化换能器的特点。
由于不同工作频率造成最小导通时间设置的困难;
由于杂散电感造成过早的同步整流关断，导通损耗增加;
轻载条件下由于电容电流尖峰导致同步整流电流反向，最终对系统产生不良影响。
同步整流控制器FAN6248,优化用于LLC谐振转换器,完美地解决上述挑战,适用于高能效服务器和台式电脑电源,大屏液晶电视及显示器电源、网络和电信电源、高功率密度适配器、高功率LED照明等等。
更希望在进一步捕捉麦克风的声音时之余能保有好的音频质量。
因此，对微机电系统（MEMS）麦克风的需求越来越多，MEMS麦克风在简洁的外观之余，同时提供高性能、保真度及可靠性，适用于携带式装置。
为避免杂讯干扰,同步整流会定义最小导通时间,FAN6248有自适应最小导通时间电路。
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