MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。

例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。

一个功率MOSFET的组件级电容,一个功率MOSFET的组件级和电路级电容之间的关系。对BJT和IGBT器件也可以进行类似的电容测量。

一是用示波观察输出波形是否正常；

二是用万用表的直流电压挡测量振荡三极管的Var电压，如果Vee出现反偏电压或小于正常放大时的数值，再用电容并正反馈信号交流短路到地端,若VBE电压回升,则可验证电路已经起振。

如果振荡器不能正常振荡，首先应用万用表测量放大器的静态工作点，若静态工作点异常,应重点检查放大电路的元器件有无损坏连接线是否开路.

升降压型充电管理芯片+快充协议芯片来实现，应用设计及外围比较复杂。

一颗内置PD3.0/QC3.0快充协议升降压型35W两节锂电充放电SOC芯片-M12229,输入电压3.3V-20V，最大充电电流5A，最大输入/输出功率35W，适用于双节串联大容量锂电池的快速充电场合。

M12229 支持2串电芯(锂电池及磷酸铁锂电池)，电芯规格支持 4.2V/4.25V/4.3V/4.4V/4.45V；芯片支持充电电流自适应，最大充电电流5A，集成电池充放电管理模块，内置电池均衡控制，最大均衡电流 100mA，方便电池配对。