作者：蒲文清

　　随着意法半导体(ST)和海力士(Hynix)半导体公司在江苏无锡市的合资晶圆厂破土动工，两大世界半导体巨头正式展开在存储器制造上前所未有的合作。总投资额达20亿美元的该合资项目将在2005年和2006年年底分别建成一条8英寸和12英寸晶圆生产线，所有的产能将用于生产双方需要的DRAM存储器和NAND闪存。ST公司副总裁兼存储器产品部副总经理Mario Licciardello表示，海力士需要利用合资厂用于其NAND和DRAM的生产，而ST需求是NAND闪存，合资厂的生产力分配与双方的投资比例一样，即ST和海力士分别为33%和67%。该合资晶圆厂的8英寸生产线将部分利用海力士韩国生产厂设备以加速建设，并利用海力士成熟的生产技术。合资厂只负责生产，并将产品按照分配比例卖给双方公司，双方各自进行晶圆分割和封装等后续步骤。此外，双方将在研发、设计和制造上进行全面的合作。

　　半导体产业的竞争更多是技术的较量，而此次合资晶圆厂的建立亦是双方期望取得生产技术制高点的意愿表现。Licciardello表示，合资厂将采用先进而成熟的工艺技术，充分利用双方的存储器技术开发和生产上的技术优势。据透露，在8英寸线上将可能采用90nm工艺技术，并在未来的12英寸生产线上采用70nm工艺，甚至更先进的技术。海力士战略策划高级副总裁Oh Chul Kwon认为，8英寸采用90nm要达到很好的良率很难，但目前该公司的韩国生产线的良率已经达到不错的水平，并认为随着新生产线的建成，良率将有望进一步提高。目前采用90nm工艺，单片NADN可以达到2Gb；采用70nm工艺可以很容易地达到10Gb；采用多片封装(MCP)可以最多达8片，大大提高单个封装的存储密度。Licciardello表示，选择哪种技术将同时兼顾技术的前瞻性和成熟性。

　　海力士在去年将其非内存业务出售，专注于存储器业务。目前海力士是中国市场第一大DRAM提供商，其份额占40%，而全球排名第四位的ST是中国第二大半导体供应商。成本对存储器产品的竞争非常重要，采用先进的生产工艺是提高产品竞争力的有效手段。此前，海力士与台湾地区的茂德科技建立了可以利用对方12寸晶圆设备的技术联盟，此次与ST的合资成为海力士另外一项重要策略。海力士认为，DRAM和NAND闪存的生产相似，海力士可以利用ST在NAND上的先进技术。此外，合资公司将解决此前困扰海力士的贸易问题(该公司产品在欧美市场被征收反倾销税)。海力士期望新厂能助力其实现成为全球最大存储器提供商的目标。

　　消费电子和通信设备对存储器的需求急剧增长，作为传统的半导体方案提供商，ST必须提供包括存储器在内的高性能完整方案。如何尽快提高产能以及整合先进存储器技术是ST提高市场竞争力的一个关键，而海力士无疑是最好的合作伙伴。ST认为，新的制造厂能让ST利用高性能、低成本的DRAM，从而提高在MCP堆叠式存储器和SiP(系统级封装)解决方案上的全球领先水平。

　　双方的高层人士对此次的合资厂的建立充满了期待，都表示希望能利用到对方在产品生产和设计上的技术优势提高各自的市场竞争力。同时，中国目前占全球半导体市场15%的份额，2008年将增长到20%左右，中国半导体市场的巨大潜力以及中国低廉的生产成本也是促成此次合作的关键因素。作为江苏省最大的外商独资项目，其8英寸线月产能将为2万片，12英寸线的产能为1.7万片，该厂的建立无疑将改变全球的存储器市场生态。Licciardello表示，未来合资公司随着需求将可能进一步追加投资，扩大产能。无疑，合资晶圆厂的建立使得双方的存储器全球产业布局成型，对存储器产业的影响值得我们持续关注。