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产品对于图像数据输出及高像素频率支持明显不足配有灵活时序控制

发布时间:2024/5/11 20:10:49 访问次数:35

SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET,具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势,这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。

在最近的对比分析中,与175毫欧的e-mode氮化镓器件相比,Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃时显示出更低的导通电阻上升幅度,并在50%和100%(全)功率下拥有更高的性能。

(1x)65W适配器参考设计采用ACF拓扑结构,可提供29W/in3的功率密度.

(1x)140W适配器参考设计采用PFC+ACF拓扑结构,可提供20W/in3的功率密度.QPQ2455TR13

在大电流的地方发热就大(焦耳楞次定律——热量与电流的平方成正比),所以凡是加有散热片的元件都是易损件,大功率的电阻也是易损件,大功率的电阻怎么能看出来,和它的阻值无关,只和它的体积有关,体积越大,功率越大,在电路中,保险丝,保险电阻是不保险的元件,首先因为它的熔点低,容易断,又因为它是保别人的险,冲到线,当警卫员,所以坏时先坏。

Transphorm的参考设计组合还包括两款开放框架的USB-C PD/PPS参考设计,频率范围110到140kHz。Transphorm与Diodes Inc.合作开发了这两款解决方案,利用该公司的ACF控制器实现了超过93.5%的峰值效率。

PCIe-7350不仅具备优越的性价比,其质量及功能更可与业界领先厂商的产品并驾齐驱PCIe-7350适用于大量且并行高速数字数据交换的应用,如图像传感器测试、大尺寸打印机、绘图机输出、IC测试、数字波形采集及播放等应用。

随着图像感测技术的进步,高像素及高画面更新率的图像传感器不断推出,市面上许多产品对于图像数据输出及高像素频率支持明显不足,因此,配有灵活时序控制及触发模式的高速I/O卡成为最理想的解决方案。


深圳市优信沃科技有限公司http://dzsyxw.51dzw.com


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(1x)65W适配器参考设计采用ACF拓扑结构,可提供29W/in3的功率密度.

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在大电流的地方发热就大(焦耳楞次定律——热量与电流的平方成正比),所以凡是加有散热片的元件都是易损件,大功率的电阻也是易损件,大功率的电阻怎么能看出来,和它的阻值无关,只和它的体积有关,体积越大,功率越大,在电路中,保险丝,保险电阻是不保险的元件,首先因为它的熔点低,容易断,又因为它是保别人的险,冲到线,当警卫员,所以坏时先坏。

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随着图像感测技术的进步,高像素及高画面更新率的图像传感器不断推出,市面上许多产品对于图像数据输出及高像素频率支持明显不足,因此,配有灵活时序控制及触发模式的高速I/O卡成为最理想的解决方案。


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