主电源中控制器IC兼容从而有助于替换现有的硅（超级结）MOSFET
发布时间:2024/4/23 22:22:58 访问次数:50
ROHM的宽驱动电压范围（2.5V至30V）等功能可与主电源中的几乎所有控制器IC兼容，从而有助于替换现有的硅（超级结）MOSFET。
虽然GaN HEMT有望显着促进小型化和提高功率转换效率，但与硅MOSFET相比，栅极驱动的难度较大，需要使用专用的栅极驱动器。
除此之外，BM3G0xxMUV-LB系列（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）还集成了额外的功能和外围组件，旨在最大限度地提高GaN HEMT性能以及650V GaN HEMT（下一代功率器件）。
其中，OPA代表其功能“运算放大器”，第一个数字8代表低压5.5V，中间的两位数字代表带宽，末尾数字代表其通道数，例如NSOPA8012，意为5.5V耐压1.5M带宽2通道运算放大器，以便让客户能简单识别其作用、带宽及通道数。
典型应用包括医用光疗；农业设备和能源发电系统信号灯；办公、娱乐和通信设备指示灯和背光；LCD开关和通用指示牌。
LED符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，采用8 mm卷带包装，ESD耐压高达2 kV，满足JESD22-A114-B要求，根据JEDEC Level 2a进行预处理，适合J-STD-020红外回流焊工艺和自动拾放贴片机加工。
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虽然GaN HEMT有望显着促进小型化和提高功率转换效率，但与硅MOSFET相比，栅极驱动的难度较大，需要使用专用的栅极驱动器。
除此之外，BM3G0xxMUV-LB系列（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）还集成了额外的功能和外围组件，旨在最大限度地提高GaN HEMT性能以及650V GaN HEMT（下一代功率器件）。
其中，OPA代表其功能“运算放大器”，第一个数字8代表低压5.5V，中间的两位数字代表带宽，末尾数字代表其通道数，例如NSOPA8012，意为5.5V耐压1.5M带宽2通道运算放大器，以便让客户能简单识别其作用、带宽及通道数。
典型应用包括医用光疗；农业设备和能源发电系统信号灯；办公、娱乐和通信设备指示灯和背光；LCD开关和通用指示牌。
LED符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，采用8 mm卷带包装，ESD耐压高达2 kV，满足JESD22-A114-B要求，根据JEDEC Level 2a进行预处理，适合J-STD-020红外回流焊工艺和自动拾放贴片机加工。
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