fIN的增大整体噪声将会增大因而降低了ENOB和SINAD性能

发布时间:2024/3/15 9:01:31 访问次数:87

按照对数定义的一个幅度单位。对于电压值，dB以20log(VA/VB)给出；对于功率值，以10log(PA/PB)给出。dBc是相对于一个载波信号的dB值；dBm是相对于1mW的dB值。对于dBm而言，规格中的负载电阻必须是已知的(如：1mW提供给50Ω)，以确定等效的电压或电流值。

模数转换器(ADC)与输入频率fIN相关的测试指标(位)。随着fIN的增大，整体噪声(特别是失真成分)将会增大，因而降低了ENOB和SINAD性能。

CoolSiC MOSFET 750V G1技术的特点是出色的RDS(on)xQfr和卓越的RDS(on)xQoss优值（FOM），在硬开关和软开关拓扑结构中均具有超高的效率。

全新CoolSiC MOSFET 750V G1产品系列在25°C时的RDS(on)为8至140mΩ，可满足广泛的需求。

在设计上具有较低的传导和开关损耗，大幅提升了整体系统效率。创新的封装更大程度地减少了热阻、帮助改善散热并优化电路内功率环路电感，在实现高功率密度的同时降低了系统成本。值得一提的是，该产品系列采用了先进的QDPAK顶部冷却封装。

VI Chip高压母线转换模块是一个隔离式、固定比率电源转换器，能够在48伏提供1.2千瓦，最大温度为100℃，峰值效率接近98％。

利用260至410伏的ETSI兼容宽输入电压范围，以及1/8的K系数，VI Chip高压BCM提供了一个隔离式、非稳压的32.5伏至51.25伏配电母线。

在1.2千瓦，新的BCM以每立方英寸2,000瓦的密度，为母线转换器电源设置了一个明确的行业标准。这是竞争解决方案功率密度的四倍，是Vicor先前发布的高压BCM功率密度的近两倍。

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模数转换器(ADC)与输入频率fIN相关的测试指标(位)。随着fIN的增大，整体噪声(特别是失真成分)将会增大，因而降低了ENOB和SINAD性能。

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