全球最大的NOR闪存供应商Spansion LLC(飞索半导体)首度参加了第十届国际集成电路研讨会暨展览会(2005 IIC-China)，展出了其全系列NOR闪存产品，包括5V、3V和1.8V的产品、容量从1到512Mb的产品和单片或者多芯片产品(MCP)。Spansion于2003年成立，由AMD和富士通的闪存部门合并而成，资产超过30亿美元，全球员工超过7,500名。据称这也是成立后的Spansion第一次高调参加在中国举行的同类展会。

    Spansion展出的产品主要包括三个系列。其中WS-N产品系列是采用基于110nm MirrorBit技术的多芯片(MCP)封装产品，应用于无线手机市场，据称Spansion占据着亚太地区60%的MCP市场。GL-N产品系列是高容量的单片NOR闪存产品，应用于嵌入式市场，如STB、GPS、switches和routers等。GL-M产品系列是中等容量的NOR闪存产品，应用于嵌入式市场，如DVD player和recorder、modem、VOIP电话等。为了迎接欧盟的RoHS规定，Spansion利用无铅闪存封装。除了将于2005年第三季度上市的PLCC和PDIP封装以外，所有封装目前都已提供无铅样品和订购。    

    针对NOR闪存市场上英特尔的价格战，Spansion的工作人员表示，Spansion拥有成本优势，并不惧怕。相反，Spansion认为自己的主要竞争对手并不是英特尔，而是三星电子和东芝等NAMD闪存厂商。3G手机、便携媒体播放器(PMP)等新兴应用带来了大量存储要求，使NAND闪存风光无限，却给NOR闪存厂商带来了挑战。目前手机中的主流存储解决方案为NOR闪存+SRAM的多芯片封装产品。但不少NAND闪存厂商认为，未来手机是NAND闪存+LPSDRAM的天下，NOR闪存+SRAM将局限于低端手机。对此，Spansion的工作人员表示，随着NOR闪存也在大力提升密度和性价比，未来胜负来定，更有可能是NAND+NOR+SRAM的三合一解决方案。

    MirrorBit技术被Spansion认为是与NAND闪存竞争的法定。与英特尔采用MLC技术提升NOR闪存密度不同的是，Spansion通过专利MirrorBit技术的对称式设计将闪存阵列的密度增加了一倍，并且简化了制造流程和提高了良率，最终在提升密度的同时并没有牺牲产品性能。Spansion的工作人员介绍说，将在2005年第三季度推出采用基于90nm MirrorBit技术的1Gb ORNAND闪存工程样片，并在第四季度量产出货。Spansion目前正在研发每单元存储4位甚至8位的NOR闪存，并计划在2007年推出8Gb的NOR闪存，期望在密度方面与NAND闪存比高。

    除了在产品研发上发力外，自2004年下半年来Spansion加大了对外的营销推广力度。Spansion的工作人员表示，未来Spansion将更加独立于其母公司。目前Spansion的产品在中国市场分别通过AMD和富士通的渠道和品牌进行销售，Spansion管理；但未来可能会进行整合。目前Spansion的产品线已经开始整合，除了原有AMD和富士通各自的产品编号外，新的产品线将以“Spansion”为品牌统一编号，并且Spansion正在积极协助客户由原有的产品转入性能改良后的新产品。

   （转自  国际电子商情）