四核RISC-V应用级处理器丰富外设和95K低功耗高性能FPGA逻辑元件
发布时间:2024/3/5 22:54:52 访问次数:49
两款采用4引脚TO-247封装（TO-247-4L）的新型SuperGaN器件。新发布的TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET器件分别具有35毫欧和50毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。
新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程，该制造工艺不仅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常适合现有硅基生产线量产。
与同类其它SoC不同的是，它还提供一个支持外部存储器（闪存或RAM）扩展的QSPI，以满足需要额外存储器的应用。
PolarFire SoC Discovery工具包。通过为嵌入式处理和计算加速提供用户友好、功能丰富的开发工具包，Microchip可帮助各种水平的工程师采用新兴技术。新发布的开源开发工具包具有支持Linux和实时应用的四核RISC-V应用级处理器、丰富的外设和95K低功耗高性能FPGA逻辑元件。
新工具包功能齐全、成本低廉，可快速测试应用概念、开发固件应用、编程和调试用户代码。
借助新款Discovery工具包，经验丰富的设计工程师、新手以及大学生都可以使用低成本的RISC-V和FPGA开发平台进行学习和快速创新。
短期稳定度的频域度量用单边带噪声与载波噪声之比u( f)表示，它与噪声起伏的频谱密度S(f)和频率起伏的Sy(f)直接相关，用以下公式表示：F2s (f)=F02SY (f)=2F2。F0—载波频率。输出信号号中不含谐波(次谐波除外)的主频相关的离散频谱分量与主频的功率比用dBc表示。
分量功率Pi与载波功率P0之比用dBc表示。在规定的环境条件下,由元器件(主要是石英谐振器)老化引起的系统输出频率随时间的漂移过程这些都是参数数据，比较重要的数据。
两款采用4引脚TO-247封装（TO-247-4L）的新型SuperGaN器件。新发布的TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET器件分别具有35毫欧和50毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。
新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程，该制造工艺不仅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常适合现有硅基生产线量产。
与同类其它SoC不同的是，它还提供一个支持外部存储器（闪存或RAM）扩展的QSPI，以满足需要额外存储器的应用。
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短期稳定度的频域度量用单边带噪声与载波噪声之比u( f)表示，它与噪声起伏的频谱密度S(f)和频率起伏的Sy(f)直接相关，用以下公式表示：F2s (f)=F02SY (f)=2F2。F0—载波频率。输出信号号中不含谐波(次谐波除外)的主频相关的离散频谱分量与主频的功率比用dBc表示。
分量功率Pi与载波功率P0之比用dBc表示。在规定的环境条件下,由元器件(主要是石英谐振器)老化引起的系统输出频率随时间的漂移过程这些都是参数数据，比较重要的数据。
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