沿用为霍尔效应方案设计的机械结构或磁铁，同时采用MDT的Z轴TMR传感器并享受诸多霍尔效应传感器无法提供的TMR技术的优点。

Z轴TMR传感器可整合进多轴电子罗盘、以及包括电流传感器的定制设计，或作为通用线性磁场传感的独立器件。

我们期望Z轴TMR传感器可以将MDT的TMR技术优势，包括更好的性能、更低的功耗和更高的可用性，带到更广阔的磁场传感细分市场，而这些市场目前被霍尔效应传感器占据了主导地位。

S698PM的抗辐射型的高性能,高可靠,高集成度,低功耗的四核并行处理器SOC芯片,这款32位处理器其采用对称多处理架构（SMP）,遵循SPARC V8标准,专为高端嵌入式实时控制及复杂计算等应用而设计。

S698PM芯片采用AMBA2.0标准总线，其中采用128位带宽AHB总线作为处理器核心互联总线，采用32位带宽AHB总线作为片内高速外设互联总线，采用32位带宽APB总线作为片内低速外设互联总线，各总线间通过桥接器交换数据。

经过上述检查和试验后,如果一切情况正常,变压器便具各了正式投入运行的条件,可交付运行使用。

MDT旗下Z轴TMR传感器的独特性能优势：可定制超过1mV/V/Oe的高灵敏度.

电阻值可以在很宽的范围内轻易调整到高达数兆欧姆，可满足从高速度到超低功耗的各种应用要求.

低噪声谱密度和宽频带.

在零下40至零上125摄氏度之间展现出卓越的温度稳定性.

控制变压器适用于交流50-60Hz,电压至660Ⅴ的电路中,作为机床等机械设备的电器的电源或低压照明之用。按外形不同可分为立式、卧式和夹式变压器.

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