作者：美国加州弗雷蒙特市光瑟半导体公司高级副总裁兼亚洲区总经理 Ying Shiau

    总部位于美国加州弗雷蒙特市的光瑟半导体公司 (Therma-Wave, Inc.)（以下简称“光瑟”）自1982 年起就一直在为半导体制造业提供测量技术与设备（如关键测量）。在过去三年中，光瑟的产品在中国爆炸式增长的半导体产业中赢得了大量市场份额。起初，光瑟支持的是基础生产，但现在其测量解决方案正在被越来越多地应用于中国新兴的先进生产力。光瑟为中国领先半导体制造商所提供的产品支持完全迎合了中国工业的需求。

    众所周知，中国大陆的半导体制造业与亚洲其他国家和地区相比起步较晚。就在数年之前，中国大陆的半导体产业还落后于台湾（该产业公认的亚洲领导）两到三个技术节点。

    在初始阶段，由于一些阻挠先进生产设备（主要是光刻 (lithography) 技术）进口的限制（例如：《瓦塞纳协议》(The Wassenaar Arrangement)），中国大陆仅仅被限制在有差距但却积极的晶圆制程边缘地带。然而，专家们现在普遍认为，这种限制将不会阻碍中国大陆向前沿技术节点（例如：90 纳米及以上）发展。技术节点的差距已经缩小。总体而言，中国大陆今天的技术水平与台湾的硅代工厂相比只相差一到两个节点。一些专家相信，中国将于2005 或2006 年在这一整体产业中达到同等技术节点水平。

    过去两年里，中国大陆的半导体产业生产能力取得了实质性增长。2002 年，中国能够适应全球性竞争的企业仅限于两家150 毫米晶圆厂和一家200 毫米晶圆厂。然而中国人似乎在其日益发展的半导体行业中注入了无限资本（主要是政府投资）以及大量劳力。进入2004 年，中国大陆已将其2002 年每月约19 万相当于200 毫米晶圆的生产能力扩张到了约35 万。

    据估计，中国大陆的晶圆厂总计约占全球现有代工厂生产能力的10%。到2004 年底时，这一生产能力有望达到半导体行业晶圆生产能力的约15%，且总体来看每年持续增长率预计将为5%至10%，一些企业的半导体业务增长甚至将达到20%。然而，2004 年中国所生产的约200 亿芯片（2002 年为100 亿）仅占其国内需求量的20%左右。

    （本文所引据的统计数据来自几家市场研究公司，意在强调中国半导体产业的量级而非实际预测数字。）

    中国晶圆厂的扩大被美国半导体业协会 (Semiconductor Industry Association) 称为“半导体生产能力的大规模扩张”。这种生产能力的扩张正在对全球竞争与定价造成怎样的积极与消极的影响已经成为争论的主题。抛开争论不提，中国不断增长的半导体产业显然是（如同美国加州最近一份政府报告所述）一种“无可抗拒的牵引力”，正在吸引资本、人才并最终带来前沿的研发与半导体设计。毫无疑问，中国半导体产业增长势头刚刚起步，这对于愿意为中国市场及其特性努力量身打造专业解决方案的全球半导体器材制造商而言意味着巨大的机遇。

    许多专家不得不承认，到2006 年时，中国半导体产业将真正与全球半导体业相一致，在代工厂和国内晶圆厂两方面均实现适应供求的生产能力与利用率。

    中国的晶圆厂测量技术

    光瑟的产品在中国领先半导体制造商中的应用同步于——并在一定程度上证实了——中国目前面向更前沿晶圆制程技术的迅速发展。该公司2003 年开始其中国业务，与其同时起步的还包括当时被称为中国半导体业新星的中国第一批晶圆厂，它们也预见到了中国在世界级半导体代工厂制造业方面的潜力。该公司与一些中国顶级半导体制造商的合作也随之不断发展，这些制造商最终将其测量设备用于晶圆厂每个模块的薄膜与离子注入估算。这些初步应用采用的是光瑟成型的成熟技术（例如：支持老式晶圆制程技术节点的测量解决方案）。因此人们可以断言，当初中国晶圆厂的增长确是以较为落后的技术谋求更多的产量。

    现在，人们看到这一趋势正在发生显著的变化。光瑟已向中国交付的许多最新测量设备是用于前沿半导体制造业的先进应用。该公司的客户也对最新测量技术非常感兴趣，包括 Therma-Probe(R) 630XP 和 Opti-Probe(R) 7341。对于这些设备的需求来自于建成并迅速投产的中国第一批300 毫米晶圆厂。

    举例而言，Opti-Probe(R) 7341 薄膜测量设备用于关键栅 (critical gate)绝缘测量。该7341 设备提供面向90 纳米技术节点制程的优良精度与适配性，并显然也可扩展至65 纳米技术节点。同样，Therma-Probe(R) 630XP 也可用于90纳米技术节点及以上的离子注入测量。

    光瑟中国业务有趣的方面是，从成熟测量解决方案向先进测量解决方案的转变普遍与该行业的整体变迁相一