单位面积上导通阻抗方面改进被单位面积门电荷(Qg)增加所抵消
发布时间:2023/11/23 21:42:00 访问次数:121
由于低压FET中沟道阻抗(channel resistance)对特征导通阻抗有较大影响，业界主要致力于在可用面积上配置尽可能多的FET沟道。
平面沟道被垂直“沟槽门”沟道替代，同时使用先进的光刻技术来缩小表面尺寸。减小沟槽FET间距的方法并不能轻松达到采用RDS(ON)xQg(d)定义的关键质量因子，因为单位面积上的导通阻抗方面的改进被单位面积门电荷(Qg)增加所抵消。
最重要的质量因子(Figure of Merit, FOM)就是单位为mΩ x mm2的特征导通阻抗(RDS(ON)spec)。
RevoDrive 3系列基于OCZ自己开发的VCA 2.0控制架构，支持TRIM、S.M.A.R.T.、AES加密，尤其是还能作为系统启动盘使用。
RevoDrive 3 X2系列是OCZ PCI-E固态硬盘的最新力作，无论规格还是性能都达到了史无前例的水平，当然价格也同样如此。
单卡形式的RevoDrive 3则有两颗主控制器，容量120/240/480GB三种，持续性能最高读取1GB/s、写入925MB/s，4KB随机写入130000 IOPS。
低成本、低导通阻抗驱动器的整合从传统LDMOS器件转向双及三低表面电场(RESURF) DMOS、超结LDMOS及LIGBT。当前功率半导体封装的主要趋势是增强互连，包括旨在降低阻抗/寄生效应的晶圆级技术，以及增强型片上散热。
用于AC-DC逆变器整合型600V晶体管技术与用于低于100V应用技术相辅相成,被证明另一个重要市场。
http://zpfykj.51dzw.com深圳市展鹏富裕科技有限公司
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最重要的质量因子(Figure of Merit, FOM)就是单位为mΩ x mm2的特征导通阻抗(RDS(ON)spec)。
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