一个定时电路断路器和快速电流限制提供了双级过流保护
发布时间:2023/11/20 21:23:15 访问次数:93
高容量异步非易失性RAM，存取时间可低至25ns。新器件可选择集成实时时钟（RTC），以便在重要数据日志中标记时间。
nvSRAM具有无限次读,写和恢复的特点,在85˚C的温度下数据可保存20年,65˚C下则可以保存150年。
16Mb nvSRAM系列扩展了产品线，以满足高端可编程逻辑控制器（PLC）、存储设备中的高速数据/错误日志记录器、网络设备、航空电子系统以及电子游戏机等关键任务应用的需求。
Express-HL计算模块提供一个SEMA控制器,可以监控BIOS，电源，温度，看门狗和板卡的信息。
硬件在环技术通常用于电厂电力仿真的实时嵌入式系统中，通过HIL技术可模拟复杂系统的实时反馈及控制。
常见的应用包括电站仿真，混合动力汽车测试，再生能源发电及其对公共电网的影响测试。
最新系列的RS产品可用的输出范围从90kVA到1MVA，使用AMETEK的高性能脉宽调制（PWM）开关技术为交流电源测试应用提供先进性能的解决方案。
通过控制背对背N沟道MOSFET，LTC4231不仅能够安然承受高达-40V的反向电池电压，同时也能针对该反向电池电压为下游电路提供保护作用。
欠压保护电路可切断低电压电池以防止其发生深度放电，而可调迟滞则能避免在负载移除之后由于电池恢复而产生振荡。一个定时电路断路器和快速电流限制提供了双级过流保护。
新降压型转换器备有自动轻载和效率改进功能，确保在负载较高的连续传导模式与负载较轻的断续传导模式之间顺畅过渡。设计人员就可遵从低功耗的设计要求，以及达到高达92%的工作效率。
http://zpfykj.51dzw.com深圳市展鹏富裕科技有限公司
高容量异步非易失性RAM，存取时间可低至25ns。新器件可选择集成实时时钟（RTC），以便在重要数据日志中标记时间。
nvSRAM具有无限次读,写和恢复的特点,在85˚C的温度下数据可保存20年,65˚C下则可以保存150年。
16Mb nvSRAM系列扩展了产品线，以满足高端可编程逻辑控制器（PLC）、存储设备中的高速数据/错误日志记录器、网络设备、航空电子系统以及电子游戏机等关键任务应用的需求。
Express-HL计算模块提供一个SEMA控制器,可以监控BIOS，电源，温度，看门狗和板卡的信息。
硬件在环技术通常用于电厂电力仿真的实时嵌入式系统中，通过HIL技术可模拟复杂系统的实时反馈及控制。
常见的应用包括电站仿真，混合动力汽车测试，再生能源发电及其对公共电网的影响测试。
最新系列的RS产品可用的输出范围从90kVA到1MVA，使用AMETEK的高性能脉宽调制（PWM）开关技术为交流电源测试应用提供先进性能的解决方案。
通过控制背对背N沟道MOSFET，LTC4231不仅能够安然承受高达-40V的反向电池电压，同时也能针对该反向电池电压为下游电路提供保护作用。
欠压保护电路可切断低电压电池以防止其发生深度放电，而可调迟滞则能避免在负载移除之后由于电池恢复而产生振荡。一个定时电路断路器和快速电流限制提供了双级过流保护。
新降压型转换器备有自动轻载和效率改进功能，确保在负载较高的连续传导模式与负载较轻的断续传导模式之间顺畅过渡。设计人员就可遵从低功耗的设计要求，以及达到高达92%的工作效率。
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