NLA12000系列KBP能很好地满足这些新一代网络的严格要求，并为用于路由器、交换机、业务网关、安全设备以及移动基础设施设备进行了优化。

托管式服务持续加速增长以及软件定义网络（SDN）、OpenFlow等新趋势的出现，导致需要在网络中增强分类、转发及安全处理能力。此外，随着移动互联网的发展，路由协议正在从IPv4向IPv6迁移，因此面向第二层至第四层处理的知识型处理器的协议表项增加了4倍。

此外，硅统也正投入人力，积极研发in-cell的内嵌式触控芯片。

即使去掉SBD亦可实现与以往产品同等的开关特性。由于不会产生Si-IGBT中常见的尾电流，损耗可降低50％以上，有助于设备更加节能。

另外，达到了Si-IGBT无法达到的50kHz以上的开关频率，因此，还可实现外围设备的小型化、轻量化。

一般Si-IGBT元件无法逆向导通，而SiC-MOSFET可通过体二极管实现常时逆向导通。另外，通过输入栅极信号，还可实现MOSFET的逆向导通，与二极管相比，可实现更低电阻。通过这些逆向导通特性，与二极管整流方式相比，可在1000V以上的范围采用高效同步整流方式的技术。

MSP430FR59xx微控制器样片，该器件建立在其“Wolverine”技术平台基础之上。

这些基于FRAM的最新微控制器不仅在实时时钟模式下的工作电流可低至360nA，工作功耗不足100uA/MHz，而且还支持6.5us的快速唤醒时间和高精度外设。

最低功耗DC/DC降压转换器，与其它器件相比可将终端应用可使用的采集能量提升达70%.

超低功耗电路可实现各种应用的无电池供电，如无线传感器网络、监控系统、烟雾探测器、可佩戴医疗设备以及移动附件等。

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