电路保护主要有两种形式：过压保护和过流保护。选择适当的电路保护器件是实现高效、可靠电路保护设计的关键，涉及到电路保护器件的选型，我们就必须要知道各电路保护器件的作用。

GDT的触发电压由信号电压的上升速率(dV/dt)、GDT的电极间隔、气体类型以及气体压力共同确定。该器件可以承受高达20kA的电流。

RTS5400符合现行Type-C的最新规格，并可支持USB3.1 Gen2的各种功能，让开发者易于设计，同时易于节省开发成本，帮助客户创造出更精美小巧差异化的产品。

在正常工作情况下，MOV的典型漏电流为10mA量级，并联电容约为45pF。电压升高到超过MOV阈值，就会使其中一个分布式齐纳二极管产生雪崩，因而使该器件对被保护的节点进行箝位。不断增加的电流最终使器件两端的电压上升——这是大多数批量材料都有的一个限制因素。

在容许MOV的漏电和并联电容的应用场合(如电源、POTS和工业传感器)，MOV可配合GDT，对闪电引起的瞬变进行良好的二次防护，因为MOV的触发速度要比气体等离子体避雷器快一个数量级。反复出现的过热应力的累积会使MOV过热，降低其性能。

压敏电阻的响应时间为ns级，比空气放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。

压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围，很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大，但比气体放电管小。

在反应时间上，压敏电阻介于TVS管和气体放电管之间，TVS管为皮秒级，压敏电阻略慢，为纳秒级;而气体放电管最慢，通常为几十个纳秒甚至更多。

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