台湾地区的工业技术研究院IEK ITIS计划产业分析师陈俊儒日前表示，由于英特尔预测闪存的缩放(Scaling)极限将发生在45纳米，未来将产生容量、写入/读取时间与读写次数的限制，这意味着闪存技术瓶颈已开始浮现。因此，许多先进厂商已开始研发OUM、FeRAM及MRAM等技术，为非易失性内存市场进行布局。
　　陈俊儒指出，自2002年起，MRAM内存的专利件数就开始急速成长，逐渐与OUM拉开距离，并于2004年超越FeRAM，是目前研发势态最强的一项技术；在Standalone Memory方面，OUM有机会取代NOR闪存市场，应用在手机产品；MRAM & FeRAM有机会取代LP SRAM市场，应用于便携式装置及工业设备。

　　另外，在嵌入式内存部份，eFeRAM & eMRAM同时具有非易失性、高性能及嵌入技术容易的特性，若能用于eMemory量产，预期会扩张原有的市场规模。在MCP内存方面，MRAM有机会取代MCP封装的手机内存，未来也有可能与DSP整合。

　　陈俊儒表示，MRAM近年来在国际上的研发势态比OUM及FeRAM强，而台湾地区在学术界、研究机构及产业界也积极投入MRAM的研发，与国际大厂的落差已拉近到1~1.5年。他建议台湾地区未来更积极投入MRAM使其商品化。在近期的规划，他建议台湾地区可以先投入eMRAM的研发，因为其内存的需求容量不高，嵌入技术较容易，且具有非易失性。

　　在中期的规划方面，陈俊儒也建议台湾地区朝向提升MRAM存储容量的研发，以取代MCP手机内存的市场。而针对长期的规划，他则建议台湾地区厂商可通过对MRAM的投入以积累自旋电子学的研发能量，为未来发展自旋电子元件而铺路，并为制作超高速演算的“量子计算机”布局。

　 （转自　电子工程专辑）