多晶硅薄膜要求具有很好结晶度和较大晶粒有低缺陷密度界面
发布时间:2023/10/5 11:52:40 访问次数:53
y轴增益调整旋钮,用来调整y轴每格代表的电压值。其增益范围为20v/div~2mv/div,以2.5倍增益精确设置。
通过调节粗调旋钮或者细调旋钮改变每格所代表的电压值,并自动将每格所代表的电压值在下面的文本框中显示出来,也可以直接在文本框中输入电压值.通过该值可以算出波形的幅值,峰值和RMS(有效值)。
逻辑分析仪是连续记录OCS30输入信号并存人内部缓冲器中显示的虚拟仪器。
逻辑分析仪有AO~A15共16位数字信号输入端口和BO~B3共4个8位数据总线输入端口。

垂直沟道型三维电荷俘获闪存的关键技术是超深孔刻蚀和高质量薄膜工艺。
沟道材料一般为多晶硅薄膜,要求具有很好的结晶度和较大的晶粒,同时还需要与栅介质之间有低缺陷密度的界面。作为一种电荷俘获存储器,存储单元之间几乎没有耦合效应。编程和擦除操作分别使用了电子和空穴的FN隧穿。
为了提高擦除速度,隧穿层通常会使用基于氧化硅和氮氧化硅材料的叠层结构。存储层一般是以氮化硅为主的高陷阱密度材料。
x轴参数设置,默认为时间轴,是A、B、c、D4个通道的信号源,主要用于形成X-y模式。
垂直坐标轴选择(y轴),鼠标移至滚轮上,按住左键左右拖动就可以实现y轴位置的改变。X轴和y轴交叉处坐标为(0,O)。
时基控制按钮范围200ms/div~0. 5rusldiv,以2.5倍增益精确设置。
通过调节粗调旋钮或者细调旋钮改变每格扫描的时间基数,并自动将每格所代表的时间在文本框中显示出来,也可以直接在文本框中输入时间值。
通过时基可以算出信号的频率和周期,如果时基参数设置不合适,不会得到正确的波形。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
y轴增益调整旋钮,用来调整y轴每格代表的电压值。其增益范围为20v/div~2mv/div,以2.5倍增益精确设置。
通过调节粗调旋钮或者细调旋钮改变每格所代表的电压值,并自动将每格所代表的电压值在下面的文本框中显示出来,也可以直接在文本框中输入电压值.通过该值可以算出波形的幅值,峰值和RMS(有效值)。
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逻辑分析仪有AO~A15共16位数字信号输入端口和BO~B3共4个8位数据总线输入端口。

垂直沟道型三维电荷俘获闪存的关键技术是超深孔刻蚀和高质量薄膜工艺。
沟道材料一般为多晶硅薄膜,要求具有很好的结晶度和较大的晶粒,同时还需要与栅介质之间有低缺陷密度的界面。作为一种电荷俘获存储器,存储单元之间几乎没有耦合效应。编程和擦除操作分别使用了电子和空穴的FN隧穿。
为了提高擦除速度,隧穿层通常会使用基于氧化硅和氮氧化硅材料的叠层结构。存储层一般是以氮化硅为主的高陷阱密度材料。
x轴参数设置,默认为时间轴,是A、B、c、D4个通道的信号源,主要用于形成X-y模式。
垂直坐标轴选择(y轴),鼠标移至滚轮上,按住左键左右拖动就可以实现y轴位置的改变。X轴和y轴交叉处坐标为(0,O)。
时基控制按钮范围200ms/div~0. 5rusldiv,以2.5倍增益精确设置。
通过调节粗调旋钮或者细调旋钮改变每格扫描的时间基数,并自动将每格所代表的时间在文本框中显示出来,也可以直接在文本框中输入时间值。
通过时基可以算出信号的频率和周期,如果时基参数设置不合适,不会得到正确的波形。
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