电容数值大至200μF能够防止在电源电压轨上出现电压塌陷
发布时间:2023/9/14 20:35:35 访问次数:106
FPF1038/FPF1039在单芯片上集成了所需的功能性，能够防止这种情况的发生，并且减少电路板占用空间、减少元件数目、消除容差匹配问题，同时减少补偿电路的额外设计时间。
这款器件还具有1.2V到5.5V的输入电压范围，与用于最新的嵌入式处理器、定制ASIC和FPGA的电源电压轨保持一致。
这款经优化的压摆率受控MOSFET开关的开启特性为TR=2.7mS，即便是电容数值大至200μF，仍能够防止在电源电压轨上出现电压塌陷。
RF3482也集成了2170MHz过滤和泛音衰减，在天线FEM输出和不断增加输出功率条件下减少对於高损耗/衰减筛检程式的需求。
当direct-to-battery连接消除了对於直流电路的需求时,通过集成的Rx balun可以去掉FEM和SoC之间的转换元件.RF3482经过完整的测试,采用的是3.0mmx3.0mm的QFN封装。
FO短链环技术引脚间距为24.96毫米,根据IEC 60664-1设定提供12kV的瞬变电压抑制。
器件的另一个主要特性是内部频率抖动功能，该功能可极大地改善EMI性能，简化电路板设计难度，降低EMI滤波元件成本。MAX16833B版本的HB LED驱动器不包含该频率抖动功能，但提供一路精度为±2%的1.64V基准电压输出，可以用于驱动器电路板上的其它器件。
RF3482集成了一个2.5GHz b/g功率放大器，其线性输出功率可达16dBm，在11n应用时具有更高的效率和更低的EVM。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
FPF1038/FPF1039在单芯片上集成了所需的功能性，能够防止这种情况的发生，并且减少电路板占用空间、减少元件数目、消除容差匹配问题，同时减少补偿电路的额外设计时间。
这款器件还具有1.2V到5.5V的输入电压范围，与用于最新的嵌入式处理器、定制ASIC和FPGA的电源电压轨保持一致。
这款经优化的压摆率受控MOSFET开关的开启特性为TR=2.7mS，即便是电容数值大至200μF，仍能够防止在电源电压轨上出现电压塌陷。
RF3482也集成了2170MHz过滤和泛音衰减，在天线FEM输出和不断增加输出功率条件下减少对於高损耗/衰减筛检程式的需求。
当direct-to-battery连接消除了对於直流电路的需求时,通过集成的Rx balun可以去掉FEM和SoC之间的转换元件.RF3482经过完整的测试,采用的是3.0mmx3.0mm的QFN封装。
FO短链环技术引脚间距为24.96毫米,根据IEC 60664-1设定提供12kV的瞬变电压抑制。
器件的另一个主要特性是内部频率抖动功能，该功能可极大地改善EMI性能，简化电路板设计难度，降低EMI滤波元件成本。MAX16833B版本的HB LED驱动器不包含该频率抖动功能，但提供一路精度为±2%的1.64V基准电压输出，可以用于驱动器电路板上的其它器件。
RF3482集成了一个2.5GHz b/g功率放大器，其线性输出功率可达16dBm，在11n应用时具有更高的效率和更低的EVM。
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