闪存是基于传统的多层浮栅结构(比如MOSFET的多层栅介质),通过存储在浮栅上的电荷来调制晶体管的阈值电压(代表数据1和0)。

写和擦除的操作就简单对应为浮栅上电荷的增加和去除。

目前的闪存大体有NOR与NAND两种结构,它们的集成度已达到Gb量级,但局限也非常明显,比如高操作电压(10V),慢擦写速度(1ms)和较差的耐久性(105)。

NAND市场已经超越了DRAM在市场容量,说明了一种典型双浮栅单元(被称作ETox单元)的工艺流程。

伴随着CMOS器件工艺特征尺寸持续地按比例缩小到14nm及以下技术节点以后,通过采用三维器件结构, 从垂直方向进一步增大沟道宽度,进而增加沟道电流。

目前成熟的14nm节点制造工艺,在单一方向,晶圆上组成沟道的鳍片薄而长,宽为7~15nm,高为15~30nm,重复间距为40~60nm。

给出鳍式场效应晶体管集成制造工艺流程,采用了间隔墙双重图案化技术来形成鳍片并采用RMG流程来形成高虑介质与金属栅极。

在正常情况下,过压保护器两引脚间阻值的这种变化受其外部电容并联的影响。

为了能够对过压保护器进行更准确的检测,还可以将其从电路板上取下来,进行断路检测。在断路状态下,过压保护器的正、反向阻值都很大,如果阻值较小,则说明该过压保护器本身已经损坏。

电磁炉中过压保护器的检测方法，过压保护器属于高脱抗电阻器,当市电电压过高,趣出其耐压值时,将处于击穿状恋,从而将市电交流220V短路,瞬间电流过大,烧浙熔浙器,起到保护电路的作用。

过压保护锵是否击穿可从其表面状裔判淅,一般会出现炸裂、黑发点等现象。

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