高能效E系列超级结技术制造在10V下的最大导通电阻只有0.52Ω
发布时间:2023/9/19 23:09:01 访问次数:53
3款采用紧凑型PowerPAK SO-8L封装的N沟道器件的600V和650V E系列功率MOSFET的阵容。
这些器件完全符合RoHS指令的要求，无卤素，无铅（Pb）。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸仅为5mm x 6mm，占用的板空间和高度仅为采用TO-252（DPAK）封装的器件的一半。PowerPAK SO-8L的鸥翼引线结构可以提升板级可靠性。
这些数值会转换成低传导和开关损耗，从而为功率因数校正、反激式与双开关正激转换器和面向HID与LED照明和工业、电信、消费类与计算电源适配器的硬开关拓扑节约能量。
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造，在10V下的最大导通电阻只有0.52Ω，栅极电荷低至17nC，导通电阻与栅极电荷乘积更低，该参数是评价功率转换应用中MOSFET的优值系数。
该器件采用小巧的热增强型12引线MSOP封装，具有可调定时器，能够限制浪涌抑制器IC花在过压或过流调节方面的时间。
这款免费的STM32 USB-C和PD中间件栈兼容USB Type-C 1.2和USB Power Delivery 2.0规范，便于客户在其最终产品上快速部署这项新技术，并充分利用STM32 ARM®Cortex®-M微控制器的丰富功能。
新固件栈X-CUBE-USB-PD最初是基于STM32F0入门级Cortex-M0处理器，让设计人员能够升级传统USB设备，为终端用户带来巨大的使用便利。
USB-C和电力传输技术定义一个可以正反面插接的连接器，能够传输应用功能所需的全部数据(包括视频或专有协议)，充当最高100W的电源或给USB端口所连设备充电。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
3款采用紧凑型PowerPAK SO-8L封装的N沟道器件的600V和650V E系列功率MOSFET的阵容。
这些器件完全符合RoHS指令的要求，无卤素，无铅（Pb）。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸仅为5mm x 6mm，占用的板空间和高度仅为采用TO-252（DPAK）封装的器件的一半。PowerPAK SO-8L的鸥翼引线结构可以提升板级可靠性。
这些数值会转换成低传导和开关损耗，从而为功率因数校正、反激式与双开关正激转换器和面向HID与LED照明和工业、电信、消费类与计算电源适配器的硬开关拓扑节约能量。
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造，在10V下的最大导通电阻只有0.52Ω，栅极电荷低至17nC，导通电阻与栅极电荷乘积更低，该参数是评价功率转换应用中MOSFET的优值系数。
该器件采用小巧的热增强型12引线MSOP封装，具有可调定时器，能够限制浪涌抑制器IC花在过压或过流调节方面的时间。
这款免费的STM32 USB-C和PD中间件栈兼容USB Type-C 1.2和USB Power Delivery 2.0规范，便于客户在其最终产品上快速部署这项新技术，并充分利用STM32 ARM®Cortex®-M微控制器的丰富功能。
新固件栈X-CUBE-USB-PD最初是基于STM32F0入门级Cortex-M0处理器，让设计人员能够升级传统USB设备，为终端用户带来巨大的使用便利。
USB-C和电力传输技术定义一个可以正反面插接的连接器，能够传输应用功能所需的全部数据(包括视频或专有协议)，充当最高100W的电源或给USB端口所连设备充电。
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