SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸为5mmx6mm,占板空间和高度只有TO-252(DPAK)封装器件的一半.而且,与无引线DFN封装的MOSFET相比,在整机设备的使用寿命内碰到温度循环情况时,PowerPAK SO-8L的鸥翼引线结构能有效提高板级的可靠性。

在功率因数校正、反激、双管正激转换器，以及HID和LED照明、工业、电信、消费和计算类应用的电源适配器等硬开关拓扑中，这些参数意味着MOSFET能实现极低的传导和开关损耗，有效节约能源。

MOSFET可承受雪崩和换相模式中的高能脉冲，保证限值通过100%的UIS测试。

STM32微控制器加密算法库成功通过密码算法验证体系(US Cryptographic Algorithm Validation Program,CAVP)验证,有助于客户快速,经济地提高新产品的安全性。

作为STM32Cube软件包的扩展模块，X-CUBE-CRYPTOLIB算法库可直接用于基于STM32的注重安全的产品，包括物联网(IoT)硬件、销售终端设备、智能表计、门禁系统和指纹识别模块。

STM32密码算法库包括所有主要的加密算法、hashing算法、信息验证和数字签名算法，让开发人员能够满足应用设计在数据完整性、保密、识别/验证和不可否认方面的全部安全要求。

模块能够在300℃的温度下稳定运行1000小时以上。已经对包含2个1,200V碳化硅(SiC)双极结型晶体管(BJT)进行了测试，在室温和300℃下分别切换了500V和200V电压。

BJT由驱动器电路控制，利用Raytheon专有的高温碳化硅(HiTSiC)工艺制造而成。

虽然碳化硅晶体管可以切换高电压和处理高温，但是传统的硅基栅极驱动器电路无法处理热量。绝缘体上硅将标准提高至220℃，但对于某些现有和新兴的电力电子应用而言这仍然不够高。

但是，Raytheon HiTSiC CMOS电路设计在300℃下运行，并且已经在更高的温度下进行了测试。

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