单位面积通态电阻在650V额定电压应用中实现能效和功率密度
发布时间:2023/9/13 8:56:25 访问次数:75
MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻，在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度.
打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。
新记录突显并巩固了在超结型MOSFET市场的领导地位,MDmesh V体现了最新的经过市场检验的Multi-Drain Mesh技术,新产品的性能提升让客户能够降低应用设计能耗,同时强化了关于提供对环境负责的产品同时通过设计研发创新产品为客户提供卓越性能的承诺。
D-Premier在音讯放大器上使用了ADH(类比-数位-混合)技术，据表示该技术已在实验室中，针对实际应用条件进行了所有关键参数测量，测量结果包括：在全功率下总谐波失真(THD+N)为0.001%；依据SMTP规格的交互调变(IMD)为0.001%；讯息杂讯比130dB (未加权)；没有测量到热畸变；输出阻抗0.001Ω；频宽，数位输入@8 to 2Ω负载：DC–87kHz (-3dB), DC–60kHz (-1dB), DC–30kHz (-0.1dB)；类比输入方面：除了0.1Hz (-3dB)其他相同。
DisplayPort、HDMI™和DVI标准的视频输入连接功能(Video In Connectivity)；
由视频与图像处理包 (VIPP) 配套提供的各种功能，包括逐行扫描视频处理、视频转换器、色彩空间转换器、Gamma 校正、边缘增强、运动自适应降噪、帧率转换器、颜色分级和屏幕视控系统功能等；
通过V-by-One®HS、DisplayPort和LVDS连接到显示器面板视频输出连接功能 (Video-out Connectivity)。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻，在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度.
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新记录突显并巩固了在超结型MOSFET市场的领导地位,MDmesh V体现了最新的经过市场检验的Multi-Drain Mesh技术,新产品的性能提升让客户能够降低应用设计能耗,同时强化了关于提供对环境负责的产品同时通过设计研发创新产品为客户提供卓越性能的承诺。
D-Premier在音讯放大器上使用了ADH(类比-数位-混合)技术，据表示该技术已在实验室中，针对实际应用条件进行了所有关键参数测量，测量结果包括：在全功率下总谐波失真(THD+N)为0.001%；依据SMTP规格的交互调变(IMD)为0.001%；讯息杂讯比130dB (未加权)；没有测量到热畸变；输出阻抗0.001Ω；频宽，数位输入@8 to 2Ω负载：DC–87kHz (-3dB), DC–60kHz (-1dB), DC–30kHz (-0.1dB)；类比输入方面：除了0.1Hz (-3dB)其他相同。
DisplayPort、HDMI™和DVI标准的视频输入连接功能(Video In Connectivity)；
由视频与图像处理包 (VIPP) 配套提供的各种功能，包括逐行扫描视频处理、视频转换器、色彩空间转换器、Gamma 校正、边缘增强、运动自适应降噪、帧率转换器、颜色分级和屏幕视控系统功能等；
通过V-by-One®HS、DisplayPort和LVDS连接到显示器面板视频输出连接功能 (Video-out Connectivity)。
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