EPC2105最理想应用于高频直流-直流转换及推动从48V直接转至1V系统负载的高效单级转换的应用。

在EPC2105半桥元件内每一个器件的额定电压是80V。上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是10mΩ，下面的场效应晶体管的导通电阻典型值是2.3mΩ。

高側场效应晶体管的尺寸大约是低側器件的四分之一，使得器件在具有高VIN/VOUT比的降压转换器中可实现最佳直流-直流转换效率。EPC2105使用晶片尺寸封装以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是6.05毫米x2.3毫米，功率密度更高。

这种集成通过替代独立的串行EEPROM降低了系统总成本，节省了EEPROM和其它相关电路板组件的成本。内置用于永久性存储设备配置设置的非易失性寄存器还为系统设计人员带来了极高的灵活性。

内置的非易失性寄存器可在开关机后保存用户设置，因此能够简化系统设计，减少处理器启动代码，提高可靠性，并确保系统正常运行。

传感器还提供更快,高达1MHz的I2C总线通信速度,提升温度传感器和内置串行EEPROM器件的吞吐量。

新的温度传感器系列包含6款高精度数字温度传感器，它们基于众多厂商提供的行业标准功能LM75。所有传感器均能精确地监测温度，满足各类应用的温度监测要求，而且具备极高的可配置性。

80V增强型单片式半桥氮化镓晶体管(EPC2105)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管成为单一器件可以除去互连电感及印刷电路板上的空隙，从而提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。

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