在不同的拓扑中，600V CoolMOS P7能够将目标应用的效率提高1.5%，并且，相比竞争产品而言，工作温度最多可降低4.2°C。

超过2kV(HBM)的出色的防静电能力可保护器件免受生产中的静电放电损坏，从而有效提高制造品质。最后，坚固耐用的体二极管能在LLC电路中硬换向事件期间保护器件。

G7具备较低的导通电阻RDS(on)、最小的栅极电荷QG，同时存储于输出电容的能量减少，并具备无引线TO封装的4管脚开尔文源极能力。

另外，骁龙835用上了10nm的制程工艺，设计制造成本相比14nm工艺增加接近5成。大厂需要持续而巨大的资金投入到10nm芯片量产的必经之路。

就目前阶段，尝试向当前的工艺路线图中添加8nm和6nm工艺技术，则继续提供16nm FinFET技术的芯片，开始着力10nm工艺的同时，预计能够样产7nm工艺制程的芯片。

这是芯片市场上，一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。

制程工艺的每一次提升，带来的都是性能的增强和功耗的降低，而每一款旗舰手机的发布，常常与芯片性能的突破离不开关系。

G7采用无引线TO封装，热性能得以改善，适用于大电流的设计，同时SMD工艺有助于降低安装成本。