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Kibra 284脚内插器提供迅速信号锁定和可靠DDR4上电顺序捕获

发布时间:2023/8/9 8:33:05 访问次数:96

TRINAMIC的分立MOSFETs采用CMOS技术,导通内阻RDS在40到70 毫欧姆之间,而使用BCDMOS技术的集成MOSFET的典型导通内阻RDS是在200到600毫欧姆之间。

因此,集成的驱动/MOSFET组合仅适用于相对较低的电流范围,而分立MOSFET电机驱动芯片则能够支持更高的电压/电流组合。

分立MOSFETs系列提高了能源效益,降低热消耗,同时简化了PCB的设计,让TRINAMIC的热门预驱动芯片运作如虎添翼,为客户提供了高成本效益的选择。

新的内插器同样具备高信号完整性的探测技术,这使得其一开始就能够配合Kibra 284脚的内插器提供迅速的信号锁定和可靠的DDR4上电顺序捕获。

作为行业内第一款独立的适合于DDR3和DDR4的协议分析仪,Kibra 480系统在传统的波形观察和解码状态列表以显示DDR命令的时序。

特殊的触发逻辑能够同时识别超过65种JEDEC中规定的贯穿于整个Rank和Bank的冲突。

业内标准的非侵入式槽式内插器探头,使得系统能够提供一个灵活的平台以测试和分析DDR3和DDR4内存子系统。

ADP1050/51和ADP1055高级数字控制器系列的配套产品有:ADIMOSFET驱动器和iCoupler®数字隔离器(用于隔离电源系统),以及ADP1047和ADP1048功率因数校正数字控制器(用于AC-DC系统)。这些器件有利于轻松实现智能电源管理,从而提高能效。

集成PMBus™接口的高级数字电源控制器ADP1055,适合高密度隔离式DC-DC电源系统应用。ADP1055采用ADI的高分辨率、高速模数转换器检测技术,同时具备专有的非线性传输功能,其高带宽性能和瞬变响应可以匹敌传统的模拟开关控制器。 

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

TRINAMIC的分立MOSFETs采用CMOS技术,导通内阻RDS在40到70 毫欧姆之间,而使用BCDMOS技术的集成MOSFET的典型导通内阻RDS是在200到600毫欧姆之间。

因此,集成的驱动/MOSFET组合仅适用于相对较低的电流范围,而分立MOSFET电机驱动芯片则能够支持更高的电压/电流组合。

分立MOSFETs系列提高了能源效益,降低热消耗,同时简化了PCB的设计,让TRINAMIC的热门预驱动芯片运作如虎添翼,为客户提供了高成本效益的选择。

新的内插器同样具备高信号完整性的探测技术,这使得其一开始就能够配合Kibra 284脚的内插器提供迅速的信号锁定和可靠的DDR4上电顺序捕获。

作为行业内第一款独立的适合于DDR3和DDR4的协议分析仪,Kibra 480系统在传统的波形观察和解码状态列表以显示DDR命令的时序。

特殊的触发逻辑能够同时识别超过65种JEDEC中规定的贯穿于整个Rank和Bank的冲突。

业内标准的非侵入式槽式内插器探头,使得系统能够提供一个灵活的平台以测试和分析DDR3和DDR4内存子系统。

ADP1050/51和ADP1055高级数字控制器系列的配套产品有:ADIMOSFET驱动器和iCoupler®数字隔离器(用于隔离电源系统),以及ADP1047和ADP1048功率因数校正数字控制器(用于AC-DC系统)。这些器件有利于轻松实现智能电源管理,从而提高能效。

集成PMBus™接口的高级数字电源控制器ADP1055,适合高密度隔离式DC-DC电源系统应用。ADP1055采用ADI的高分辨率、高速模数转换器检测技术,同时具备专有的非线性传输功能,其高带宽性能和瞬变响应可以匹敌传统的模拟开关控制器。 

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