英飞凌70纳米DRAM研发成功
发布时间:2007/9/5 0:00:00 访问次数:260
近日，英飞凌(Infineon)宣布该公司在内存蚀刻技术上取得了重大突破，采用深度沟槽（Deep Trench）的下一代DRAM已经研发成功。
据悉，新一代DRAM将采用70nm工艺。Infineon表示，采用70nm技术后，集成电路板的尺寸将较目前的产品减小30％，希望通过70nm技术进一步提高300mm晶圆体内存颗粒的容量和产量。
（文章来源：集成电路产业网新闻管理部）
近日，英飞凌(Infineon)宣布该公司在内存蚀刻技术上取得了重大突破，采用深度沟槽（Deep Trench）的下一代DRAM已经研发成功。
据悉，新一代DRAM将采用70nm工艺。Infineon表示，采用70nm技术后，集成电路板的尺寸将较目前的产品减小30％，希望通过70nm技术进一步提高300mm晶圆体内存颗粒的容量和产量。
（文章来源：集成电路产业网新闻管理部）
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