应用材料推出最新300mm DPN Centura系统，此系统扩展了晶体管闸极技术，并迈向通往到65奈米芯片的大门。DPN（分耦式电浆氮化）系统能发挥强大的整合电浆氮化与退火制程，在处理逻辑芯片时，可产生分布均匀、且厚度小于11埃（A）的氧化层（EOT），还可比原先的加温氮化技术减少10倍的闸极漏损量。这套系统同样可提供超优的硼阻断功能，无论对逻辑芯片或随机存取内存的晶体管成形，都拥有关键性的优势。

    应用材料副总裁暨前段产品事业群总经理蓝得尔表示，DPN Centura系统是第一个在整合闸极堆栈（Integrated Gate Stack）解决方案中，结合公司新推出的300mm DPN 反应室以及领先业界的Radiance快速高温处理反应室，提供客户制作下几世代晶体管时，一种现成的量产解决方案。DPN系统所具有的整合制程功能，可提供关键的接口控制，用以达成更佳的产品性能。这套系统藉由控制系统周边的各项制程，能排除多余的氧化物、湿气及其它的污染物，以维持产品性能。

    为确保证先进芯片制程不断精进，闸极氧化物的氮化作用是一个不可或缺的制程步骤。由于应用材料的DPN反应室在闸极氧化布氮时，采用的是电浆而非高温制程，在低温里较高浓度的氮，能结合在闸极氧化物的表面上，进而避免损坏信道接口。这套最佳化的DPN系统搭配Radiance 快速加温制程反应室，可提供领先业界的均匀氧化层，更改进信道的流窜性。

    应用材料的300mm DPN Centura系统也具备领先同业Radiance RTP反应室，可进行氮化后退火作用。原已有Radiance 快速高温制程系统的客户，可将系统翻新成备有DPN反应室技术，以节省晋级90奈米与65奈米芯片开发及量产时的成本。