Soitec与ASM制造成功300mm直径应变绝缘硅晶圆
发布时间:2007/9/5 0:00:00 访问次数:317
Soitec SA公司日前宣布，已与ASM International NV制造出300mm直径的应变绝缘硅(sSOI)晶圆。两家公司还宣布拓展双方的合作关系，进一步提升制造效率并开发sSOI产品。
sSOI晶圆应变值为1.5gigapascal(GPa)，晶圆同质度为±7%。创记录的应变对应的硅晶格变形度为近1%。应变硅层厚度为200埃，同质度为±3%，表面粗糙度可媲美优质体(bulk)硅晶圆。内部测试显示，Soitec sSOI 晶圆在高达1100摄氏度的温度下能保持应变力，为适应CMOS集成热预算提供了足够的工艺窗口。
“300mm sSOI晶圆样品的成功制造使该项目超越了研发评估阶段，迈入了工业化阶段，使Soitec能提供用于45nm技术节点开发IC的晶圆。” Soitec首席技术官Carlos Mazure在声明中表示。
最初的300mm晶圆是用于全耗散(FD)型结构的薄膜sSOI，用于局部耗散(PD)结构的厚膜sSOI晶圆将于2005年首季开始出样。
（文章来源：电子工程专辑）
Soitec SA公司日前宣布，已与ASM International NV制造出300mm直径的应变绝缘硅(sSOI)晶圆。两家公司还宣布拓展双方的合作关系，进一步提升制造效率并开发sSOI产品。
sSOI晶圆应变值为1.5gigapascal(GPa)，晶圆同质度为±7%。创记录的应变对应的硅晶格变形度为近1%。应变硅层厚度为200埃，同质度为±3%，表面粗糙度可媲美优质体(bulk)硅晶圆。内部测试显示，Soitec sSOI 晶圆在高达1100摄氏度的温度下能保持应变力，为适应CMOS集成热预算提供了足够的工艺窗口。
“300mm sSOI晶圆样品的成功制造使该项目超越了研发评估阶段，迈入了工业化阶段，使Soitec能提供用于45nm技术节点开发IC的晶圆。” Soitec首席技术官Carlos Mazure在声明中表示。
最初的300mm晶圆是用于全耗散(FD)型结构的薄膜sSOI，用于局部耗散(PD)结构的厚膜sSOI晶圆将于2005年首季开始出样。
（文章来源：电子工程专辑）
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