新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。

RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能还表现在自发热降低，从而增强可穿戴设备的用户舒适度。

在VGS =4.5V时，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分别为50mΩ和55mΩ。因此，在市场上类似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE单个芯片面积导通电阻最低。

车载LDO稳压器系列，支持低至100nF（纳法：10的负九次方）的输出电容量，不到普通产品1/10，而且，在输入电压和负载电流*2波动的情况下，也能实现应用产品所要求的稳定工作（输出电压波动100mV以内：负载电流波动1mA⇔50mA/1μ秒时）。

新产品支持超宽范围的输出电容量，不仅适用于普通的数μF的小型MLCC（多层陶瓷电容器）和大容量的电解电容器，也适用于以往实际应用中很难稳定工作的1μF以下的0603尺寸超小型MLCC，因此，不仅有助于元器件和电路板的小型化，还可以在更广泛的电容器条件下使用，有助于减少设计工时。

此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中，还可提供额定2kV ESD保护（人体模型 – HBM）。这两款MOSFET的额定漏极电流最高均可达4A。

除了采用DSN1006封装的这两款MOSFET外，Nexperia还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS=4.5V时的最大RDS(on)为16mΩ，在0.96mm×0.96mm×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具备市场领先的效率。

超稳定控制技术“Nano Cap™”，新产品能够支持不到普通产品1/10的100nF输出电容量，而且，即使在输入电压和负载电流波动时，也能实现应用产品要求的稳定性。

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